[发明专利]太赫兹光量纳米瓷贴

权利要求书

1.一种太赫兹光量纳米瓷贴，其特征在于,包括：

纳米光量聚能瓷主体，所述纳米光量聚能瓷主体顶部表面设有瓷釉层；

所述纳米光量聚能瓷主体底部中央设有凹槽，所述凹槽内嵌设有太赫兹聚能芯片。

2.根据权利要求1所述的太赫兹光量纳米瓷贴，其特征在于：所述纳米光量聚能瓷主体按重量份计算，包括：硅酸锆8-15份，氧化锌1-5份，碧玺纳米粉8-20份，高岭土50-60份，钾长石20-35份，硅灰石10-20份，白云石2-5份；所述纳米光量聚能瓷主体还包括水，并且水与所述柔光砖面釉中的固体成分的质量比为4:10～6:10。

3.根据权利要求2所述的太赫兹光量纳米瓷贴，其特征在于：所述太赫兹聚能芯片按重量份计算，包括：托玛琳石20份、熔块80份；所述托玛琳石为镁铁锂电气石；所述熔块由以下质量分数的成分组成：硅的氧化物50％，铝的氧化物15％，锌的氧化物8％，钡的氧化物6％，钙的氧化物14％，镁的氧化物6％，钾的氧化物0.5％，钠的氧化物0.5％。

4.根据权利要求3所述的太赫兹光量纳米瓷贴，其特征在于：所述太赫兹光量纳米瓷贴的制作工艺包括如下步骤：

步骤一、按纳米光量聚能瓷主体的各组成原料的配比进行备料；

步骤二、将备料依次放入球磨机中进行球磨、喷雾、干燥得到硬质粉体，使颗粒直径控制在3万纳米级目；

步骤三、将硬质粉体加水形成泥料，并填于模具中进行压制；

步骤四、对定型的泥料进行脱模，后在850至1000摄氏度之间的炉温下进行一次烧结，一次烧结时长为2至3小时；

步骤五、对一次烧结制品上釉面，并将构成太赫兹聚能芯片的原料以泥料方式填入一次烧结制品底部的凹槽内进行二次烧结，二次烧结温度控制在750度至900摄氏度之间，二次烧结时长为5至6小时。