[发明专利]一种Bi2有效

专利信息
申请号: 202110309854.8 申请日: 2021-03-23
公开(公告)号: CN113019409B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 李瑞桢;陈寒阳;杜立君;胡禹;陈宇;袁基刚;刘兴勇 申请(专利权)人: 四川轻化工大学
主分类号: B01J27/232 分类号: B01J27/232;B01J27/06;B01J37/03;C02F1/32;C02F101/34;C02F101/38
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 刘桢
地址: 643000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 bi base sub
【说明书】:

发明公开了一种Bi2O2CO3/BiOCl催化剂的制备方法,包括如下步骤:1)配置A溶液:称取一定量的Bi(NO3)3·5H2O并将其溶于硝酸,搅拌均匀得到透明的A溶液;2)配置B溶液:称取一定量的分散剂、Na2CO3和NH4Cl,将其溶于超纯水中,搅拌均匀直到透明为止,得到B溶液;3)在持续搅拌条件下,将A溶液缓慢滴加入B溶液中,产生白色沉淀,继续搅拌后,收集沉淀物,洗涤多次后干燥得到Bi2O2CO3/BiOCl催化剂。本发明制备方法简便,一步合成并且整个反应过程在室温条件下进行,对反应温度没有要求,具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及光催化技术领域,具体涉及一种Bi2O2CO3/BiOCl催化剂的制备方法及其应用。

背景技术

光催化氧化技术是一种常用的高级氧化法,具有成本低、安全性高、效率高、无二次污染等特点,常用于去除环境中的有机污染物。然而单个半导体材料的电子空穴复合速率快,导致光催化反应的效率仍然很低。用两种能带结构不同的半导体结合形成异质结能促进电子和空穴的转移,提高光催化活性。但传统的II型异质结是以牺牲光生载流子的氧化还原能力为代价的,由此产生的氧化还原位点的活性低于单组分光催化剂,导致其氧化还原能力削弱。

近年来,无介质的直接Z型异质结作为一种既能保持强氧化还原能力又能快速传导电子与空穴的方法,受到了广泛的关注。其在光催化体系中可以得到电位更负的导带和电位更正的价带,且与两种单组分催化剂相比,光催化性能显著提高。目前,现有技术制备得到的Bi2O2CO3/BiOCl异质结的载流子转移途径都属于II型异质结,而有的制备方法较为复杂,反应温度普遍较高,而且II型异质结的催化性能并不好,因此,如何通过简单的制备方法获得催化性能更好的Bi2O2CO3/BiOCl催化剂是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

针对现有技术存在的上述不足,本发明的目的在于提供一种Bi2O2CO3/BiOCl催化剂的制备方法,以解决现有技术制备Bi2O2CO3/BiOCl催化剂方法复杂、反应温度高、催化性能差的问题。

本发明还提供了一种Bi2O2CO3/BiOCl催化剂的应用。

为了解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:

一种Bi2O2CO3/BiOCl催化剂的制备方法,包括如下步骤:

1)配置A溶液:称取一定量的Bi(NO3)3·5H2O并将其溶于硝酸,搅拌均匀得到透明的A溶液。

2)配置B溶液:称取一定量的分散剂、Na2CO3和NH4Cl,将其溶于超纯水中,搅拌均匀直到透明为止,得到B溶液。

3)在持续搅拌条件下,将A溶液缓慢滴加入B溶液中,产生白色沉淀,继续搅拌后,收集沉淀物,洗涤多次后干燥得到Bi2O2CO3/BiOCl催化剂。

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