[发明专利]铜导线的形成方法

权利要求书

1.一种铜导线的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底层；

在所述基底层的第一表面上中形成开口；

在所述开口的表面形成铜籽层；

从所述基底层的所述第一表面对所述铜籽层加热，以使所述铜籽层团聚在所述开口中形成铜导线；

其中，在所述从所述基底层的所述第一表面对所述铜籽层加热的步骤中，所述基底层的第二表面被静电吸附盘吸附。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底层包括衬底和介质层，其中，所述介质层在所述衬底上形成；所述在所述基底层的第一表面上中形成开口的步骤，具体包括：

在所述介质层的所述第一表面上中形成所述开口。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述从所述基底层的所述第一表面对所述铜籽层加热，以使所述铜籽层团聚在所述开口中形成铜导线的步骤，具体包括：

在所述基底层的所述第一表面上方提供热源；

在第一预设时长内，通过所述热源以热辐射的方式加热所述铜籽层；

在第二预设时长内，冷却所述铜籽层以形成所述铜导线。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述开口的表面形成铜籽层的步骤，包括：

在所述开口的侧面及底面形成过渡层；

在所述过渡层的表面形成所述铜籽层。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述对所述铜籽层加热以形成铜导线的步骤之后，还包括：

采用电化学镀铜工艺，在所述铜导线上继续生长铜以完全填满所述开口。

6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述完全填满所述开口之后，还包括：

在所述铜导线的表面进行平坦化工艺，去除所述开口外的多余铜，以使所述铜导线的表面与所述基底层的第一表面平齐。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述开口的表面形成铜籽层的步骤，具体包括：

采用物理气相沉积工艺在所述开口的表面形成铜籽层。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述开口为通过刻蚀工艺对所述基底层进行刻蚀以形成。

9.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述热源为卤素灯。

10.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述铜籽层在第一预设时长的加热温度为300℃～360℃。

11.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述过渡层的材料为氮化钽。

12.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述过渡层的厚度为2nm～4nm。