[发明专利]一种低频吸波体

权利要求书

1.一种低频吸波体，其特征在于，包括背板(1)、设置于背板(1)表面的第一吸波材料层(2)、设置于第一吸波材料层(2)表面的第一电阻膜图案(3)、设置于第一电阻膜图案(3)表面的第二吸波材料层(4)和设置于第二吸波材料层(4)表面的第二电阻膜图案(5)，第一电阻膜图案(3)和第二电阻膜图案(5)均为弯折结构的电阻膜图案，第一电阻膜图案(3)和第二电阻膜图案(5)在厚度方向上形状互补。

2.根据权利要求1所述的一种低频吸波体，其特征在于，第一电阻膜图案(3)和第二电阻膜图案(5)均为旋转对称的图案，旋转角为90°；背板(1)、第一吸波材料层(2)和第二吸波材料层(4)的形状均为正方形，背板(1)、第一吸波材料层(2)和第二吸波材料层(4)的边长相同。

3.根据权利要求2所述的一种低频吸波体，其特征在于，第二电阻膜图案(5)包括位于中心的正方形电阻膜区域(5-5)以及四个结构相同的图案单元，第二吸波材料层(4)的每个角对应一个图案单元，每个图案单元包括第一电阻膜线(5-4)、若干L形电阻膜线以及正方形电阻膜区域(5-5)从一个顶点处伸至第二吸波材料层(4)边部的第二电阻膜线(5-1)；

四个结构相同的图案单元按顺序依次记为第一图案单元、第一图案单元和第一图案单元、第一图案单元，其中，第一图案单元对应的第二吸波材料层(4)上对应角的两个边分别为第一边(4-1)和第二边(4-2)，第一图案单元的第二电阻膜线(5-1)延伸至第一边(4-1)并与第一边(4-1)垂直，第二图案单元的第二电阻膜线(5-1)延伸至第二边(4-2)并与第二边(4-2)垂直；第一图案单元的L形电阻膜线的一条边与第一图案单元的第二电阻膜线(5-1)平行，第一图案单元的L形电阻膜线的另一条边与第二图案单元的第二电阻膜线(5-1)平行；第一图案单元的第一电阻膜线(5-4)的两端延伸至第二边(4-2)，第一图案单元的第一电阻膜线(5-4)的其余部分围成一L形区域，该L形区域的一条边与第一图案单元的第二电阻膜线(5-1)平行，该L形区域的另一条边与第二边(4-2)垂直。

4.根据权利要求3所述的一种低频吸波体，其特征在于，所述第二电阻膜线(5-1)与L形电阻膜线之间的间距、L形电阻膜线与L形电阻膜线之间的间距、L形电阻膜线与第一电阻膜线(5-4)之间的间距以及所述L形区域各边的宽度相同。

5.根据权利要求4所述的一种低频吸波体，其特征在于，正方形电阻膜区域(5-5)的边长为3×w+2×g，其中，w为第二电阻膜线(5-1)、L形电阻膜线以及第一电阻膜线(5-4)的线宽，g为第二电阻膜线(5-1)与L形电阻膜线之间的间距。

6.根据权利要求4所述的一种低频吸波体，其特征在于，背板(1)、第一吸波材料层(2)和第二吸波材料层(4)的边长为299.2±3.2mm，第二电阻膜线(5-1)与L形电阻膜线之间的间距为23.9±2mm，第二电阻膜线(5-1)、L形电阻膜线以及第一电阻膜线(5-4)的线宽为3.3±2.1mm，第一吸波材料层(2)和第二吸波材料层(4)的厚度相同，第一吸波材料层(2)和第二吸波材料层(4)总厚度为3±0.2mm。

7.根据权利要求6所述的一种低频吸波体，其特征在于，第二电阻膜线(5-1)、L形电阻膜线以及第一电阻膜线(5-4)的线宽w、第二电阻膜线(5-1)与L形电阻膜线之间的间距g以及背板(1)、第一吸波材料层(2)和第二吸波材料层(4)的边长p满足以下关系：背板(1)、第一吸波材料层(2)和第二吸波材料层(4)的边长为p×k时，第二电阻膜线(5-1)、L形电阻膜线以及第一电阻膜线(5-4)的线宽为w×k，第二电阻膜线(5-1)与L形电阻膜线之间的间距为g×k，其中，k取值为0.1-3。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的一种低频吸波体，其特征在于，第一电阻膜图案(3)与第二电阻膜图案(5)可互换位置。