[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

本发明涉及存储器装置及其操作方法。本技术涉及电子装置。根据本技术，一种操作存储器装置的方法，该存储器装置包括降低了干扰影响的编程操作速度并且包括多个存储器块，每个存储器块包括多个存储器单元串，每个存储器单元串包括串联连接在位线和源极线之间的多个存储器单元、串联连接在源极线和多个存储器单元之间多个源极选择晶体管、以及串联连接在位线和多个存储器单元之间的多个漏极选择晶体管，该方法包括：向源极线施加预充电电压；以及向第一源极选择线施加预充电电压，第一源极选择线连接到多个存储器块当中的未选存储器块中所包括的源极选择晶体管当中的与源极线相邻的源极选择晶体管。

技术领域

本公开涉及电子装置，并且更具体地，涉及存储器装置及操作该存储器装置的方法。

背景技术

储存装置是在诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据的装置。储存装置可以包括存储数据的存储器装置和控制该存储器装置的存储器控制器。存储器装置可以分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置可以是仅在供电时存储数据并且在电源断开时丢失所存储的数据的装置。易失性存储器装置可以包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。

非易失性存储器装置是即使断电也不会丢失数据的装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。

发明内容

本公开的实施方式提供了具有降低了干扰影响的编程操作速度的存储器装置及操作该存储器装置的方法。

根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法，该存储器装置包括多个存储器块，每个存储器块包括多个存储器单元串，每个存储器单元串包括串联连接在位线和源极线之间的多个存储器单元、串联连接在源极线和多个存储器单元之间的多个源极选择晶体管、以及串联连接在位线和多个存储器单元之间的多个漏极选择晶体管，该方法包括：向源极线施加预充电电压；以及向第一源极选择线施加预充电电压，第一源极选择线连接到多个存储器块当中的未选存储器块中所包括的源极选择晶体管当中的与源极线相邻的源极选择晶体管。

根据本公开的实施方式，一种存储器装置包括：多个存储器块，每个存储器块包括多个存储器单元串，每个存储器单元串包括串联连接在位线和源极线之间的多个存储器单元、串联联接在源极线和多个存储器单元之间的多个源极选择晶体管、以及串联连接在位线与多个存储器单元之间的多个漏极选择晶体管；外围电路，该外围电路被配置为执行多个编程循环，每个编程循环包括向多个存储器块当中的被选存储器块提供编程电压的编程步骤；以及验证被选存储器块的编程状态的验证步骤；以及编程操作控制器，该编程操作控制器被配置为控制外围电路，以在编程步骤中向源极线施加预充电电压，并且向第一源极选择线施加预充电电压，第一源极选择线连接至多个存储器块当中的未选存储器块中所包括的源极选择晶体管当中的与源极线相邻的源极选择晶体管。

根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法，该存储器装置包括多个存储器块，每个存储器块包括多个存储器单元串，每个存储器单元串包括串联连接在位线和源极线之间的多个存储器单元、串联连接在源极线和多个存储器单元之间的多个源极选择晶体管、以及串联连接在位线和多个存储器单元之间的多个漏极选择晶体管，该方法包括：向源极线施加预充电电压；以及在源极线被预充电到第一电压电平之后，向第一源极选择线施加预充电电压，第一源极选择线连接到多个存储器块当中的未选存储器块中所包括的源极选择晶体管当中的与拟源极线相邻的源极选择晶体管。

根据本公开的实施方式，一种对非易失性存储器单元串进行编程的方法，该非易失性存储器单元至少联接到源极线并且至少包括源极选择晶体管，该方法包括：在预充电时段期间向源极线施加预充电电压；以及在预充电时段期间，在向源极线施加预充电电压之后，向联接至相邻的源极选择晶体管的源极选择线施加预充电电压，其中，该相邻的源极选择晶体管在源极选择晶体管当中最邻近于源极线。