[发明专利]一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110308343.4 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113061860B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 梁慧 | 申请（专利权）人： | 徐州工程学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;B82Y40/00;B82Y30/00;H01M8/04082 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 戴嵩玮 |
| 地址： | 221018 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种镁纳米线薄膜的制备方法，采用磁控溅射在基底上沉积镁纳米线薄膜：
所述磁控溅射的靶材为Mg靶；
所述Mg靶与基底之间的距离为60~80 mm；
所述磁控溅射在氩气保护下进行；
所述磁控溅射时基底的温度为25~100℃；
所述磁控溅射时基底的倾斜角度60°α89°；
所述磁控溅射的功率为20~100 W；
所述磁控溅射时的工作气压为0.13~1.3 Pa。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底包括导电硅晶片、SiO2片或Al2O3片。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Mg靶的纯度大于等于99.99 wt%。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射时基底的温度为25~80℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的时间为10~60 min。
6.权利要求1~5任意一项所述制备方法制备的镁纳米线薄膜，所述镁纳米线薄膜中镁纳米线的直径为20~100 nm。
7.权利要求6所述的镁纳米线薄膜作为储氢固态材料的应用。
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