[发明专利]转接板堆叠模组、多层模组和堆叠工艺

权利要求书

1.一种转接板堆叠模组，包括底座转接板和盖帽转接板，其特征在于，

所述底座转接板的第一表面设有RDL和焊盘；所述底座转接板的第二表面开有空腔，底座转接板的第二表面设有RDL和焊盘，底座转接板空腔底部设有焊盘；芯片安装在底座转接板的空腔中，芯片的背面通过空腔底部焊盘和底座转接板中的TSV导电柱与底座转接板第一表面的RDL中的接地线路连接；芯片的工作面与底座转接板第二表面的RDL电连接；底座转接板第二表面的RDL与其侧面设置的焊盘连接；

所述盖帽转接板的第一表面设有与底座转接板空腔相对应的空腔，盖帽转接板的侧面设有焊盘；

所述盖帽转接板与底座转接板对位键合堆叠；盖帽转接板侧面焊盘与底座转接板侧面焊盘通过导电线连接。

2.如权利要求1所述的转接板堆叠模组，其特征在于，

底座转接板侧面的焊盘自其第二表面向下延伸；盖帽转接板侧面的焊盘自其第二表面向下延伸。

3.如权利要求1所述的转接板堆叠模组，其特征在于，

底座转接板的空腔中芯片周围设有填料。

4.一种转接板堆叠多层模组，其特征在于，包括两个或以上的如权利要求1、2或3所述的转接板堆叠模组；

各转接板堆叠模组上下堆叠形成转接板堆叠多层模组；上下相邻的两个转接板堆叠模组之间，上一个模组中底座转接板侧面焊盘和下一个模组中盖帽转接板侧面焊盘通过导电线连接。

5.一种转接板堆叠工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，在底座晶圆的第一表面制作TSV导电柱，然后在底座晶圆的第一表面制作与其TSV导电柱一端连接的RDL和焊盘；

步骤S2，在底座晶圆的第一表面临时键合载片，在底座晶圆的第二表面减薄，然后制作用于形成侧面焊盘的凹槽导电柱；

步骤S3，在底座晶圆的第二表面与其TSV导电柱对应区域刻蚀空腔，然后在空腔底部沉积与其TSV导电柱另一端连接的金属焊盘；

步骤S4，在底座晶圆的空腔底部贴装芯片，芯片的背面通过底座晶圆空腔底部焊盘和底座晶圆中的TSV导电柱与底座晶圆第一表面的RDL中的接地线路连接；然后在芯片与空腔间隙填充填料；在底座晶圆的第二表面制作RDL与焊盘，使得芯片的工作面与底座晶圆第二表面的RDL电连接；

步骤S5，在盖帽晶圆的第一表面制作与底座晶圆的空腔相对应的空腔，然后在盖帽晶圆的第二表面制作用于形成侧面焊盘的凹槽导电柱；

步骤S6，对底座晶圆和盖帽晶圆分别切割形成底座转接板和盖帽转接板，底座晶圆的凹槽导电柱切割后形成底座转接板的侧面焊盘，盖帽晶圆的凹槽导电柱切割后形成盖帽转接板的侧面焊盘；

步骤S7，将盖帽转接板与底座转接板对位键合堆叠，形成转接板堆叠模组；

步骤S8，将两个或以上的转接板堆叠模组上下堆叠形成转接板堆叠多层模组；然后在多层模组的侧面制作导电线，使得单个转接板堆叠模组的盖帽转接板侧面焊盘与底座转接板侧面焊盘通过导电线连接，上下相邻的两个转接板堆叠模组之间，上一个模组中底座转接板侧面焊盘和下一个模组中盖帽转接板侧面焊盘通过导电线连接。