[发明专利]芯片老化测试方法与装置、存储介质、测试设备

说明书

本发明公开了一种芯片老化测试方法与装置、存储介质、测试设备，其中，芯片老化测试方法包括以下步骤：确定芯片中的待运行模块，并根据至少待运行模块定制测试向量；将测试向量输入芯片，以使至少待运行模块进行工作；获取芯片温度，并根据芯片温度对测试向量进行控制，以使芯片温度满足预设的测试要求。由此，该芯片老化测试方法可以不需要依靠老化板上的温度传感器，还能够更具针对性地对芯片中的模块进行测试，在降低测试成本的同时，提高了老化测试结果的准确性和有效性。

技术领域

本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片老化测试方法、一种计算机可读存储介质、一种测试设备和一种芯片老化测试装置。

背景技术

随着芯片规模的日益扩大，芯片中集成的模块也越来越多，使得测试所需的向量数目变多、总容量变大。在老化实验过程中，相关技术中最常用的老化测试方法是：将芯片阵列排布在老化实验板上，然后将实验板的金手指插入老化实验箱的插槽内，实验时从老化实验箱的数字通道向芯片输入老化测试向量,使整颗芯片处于工作状态，同时老化实验箱内部会有高温循环风对芯片进行加热，使芯片温度达到实验要求的标准。这种实验方案成熟且实验温度比较稳定，但存在能耗高、控温速度较慢、实验箱内不同区域间存在温差等缺陷，实验板的成本高，并且通常只会运行一些强度较低的顶层DFT(Design ForTestability，可测试性设计)测试向量，测试准确度较低，并且顶层DFT向量占用的内存较大，对老化测试的硬件要求较高，从而导致成本投入也高。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种芯片老化测试方法，能够降低测试成本，提高测试结果的准确性和有效性。

本发明的第二个目的在于提出一种计算机可读存储介质。

本发明的第三个目的在于提出一种测试设备。

本发明的第四个目的在于提出一种芯片老化测试装置。

为达上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种芯片老化测试方法，该方法包括以下步骤：确定芯片中的待运行模块，并根据至少所述待运行模块定制测试向量；将所述测试向量输入所述芯片，以使至少所述待运行模块进行工作；获取芯片温度，并根据所述芯片温度对所述测试向量进行控制，以使所述芯片温度满足预设的测试要求。

根据本发明实施例的芯片老化测试方法，首先确定芯片中的待运行模块，该待运行模块可以是单个也可以是多个，并且确定待运行模块的方法有多种，在此不做具体限定。需要说明的是，该步骤所确定的待运行模块是对芯片老化影响较大的模块。在确定待运行模块之后，则可以根据待运行模块定制测试向量，并将该运行向量输入芯片中，使得至少芯片中的待运行模块进行工作，然后获取芯片温度，并根据芯片温度对测试向量进行控制，使芯片温度满足预设的测试要求，最后利用老化板对满足预设测试要求的芯片进行老化测试。本实施例中的芯片老化测试方法不需要依靠老化板上的温度传感器，同时能够更具针对性地对芯片中的模块进行测试，由此，该芯片老化测试方法能够降低测试成本，提高测试结果的准确性和有效性。

另外，根据本发明上述实施例的芯片老化测试方法还可以具有如下附加技术特征：

根据本发明的一个实施例，所述待运行模块为寿命敏感模块。

根据本发明的一个实施例，确定芯片中的待运行模块，包括：对所述芯片进行测试，以使所述芯片整体进行工作；对所述芯片进行全片测温，以获取温升最快的位置；将所述温升最快的位置所对应的模块作为所述待运行模块。

根据本发明的一个实施例，通过红外测温的方式对所述芯片进行全片测温。

根据本发明的一个实施例，在所述待运行模块进行工作时，还控制所述芯片中与所述待运行模块的温度关联模块进行工作。

根据本发明的一个实施例，所述芯片中与所述待运行模块的温度关联模块为为所述芯片中的高功耗模块。