[发明专利]一种新型移相全桥拓扑结构工艺

权利要求书

1.一种新型移相全桥拓扑结构工艺，包括输入电源、移相全桥拓扑结构、变压器（TR）和输出电路，其特征在于，所述输入电源与移相全桥拓扑结构之间连接有熔断器（Fu）,且移相全桥拓扑结构包括第一开关组件、第二开关组件、第三开关组件和第四开关组件，所述输入电源两端分别串联有第一续流二极管（D5）和第二续流二极管（D6），且输入电源两端分别串联位于第一续流二极管（D5）和第二续流二极管（D6）一侧串联有第一谐振电容（C5）和第二谐振电容（C6），所述第一谐振电容（C5）两端连接有第一泄放电阻（R1）,且第二谐振电容（C6）两端连接有第二泄放电阻（R2），所述移相全桥拓扑结构和变压器（TR）之间串联有变压器原边绕组电感量（Lp）和原边漏感（Ls）,所述输出电路包括输出电感（Lf）、输出电容（Cf）、负载电阻（Rload）、第一电源次级高频整流二极管（D7）和第二电源次级高频整流二极管（D8），且输出电容（Cf）与负载电阻（Rload）并联连接，所述第一电源次级高频整流二极管（D7）和第二电源次级高频整流二极管（D8）并联在负载电阻（Rload）和变压器（TR）之间。

2.根据权利要求1所述的一种新型移相全桥拓扑结构工艺，其特征在于，所述第一开关组件和第二开关组件串联构成超前桥臂开关组件，且第一开关组件包括第一开关管（T1）、第一寄生二极管（D1）和第一寄生电容（C1）,第一开关管（T1）、第一寄生二极管（D1）和第一寄生电容（C1）并联连接。

3.根据权利要求1所述的一种新型移相全桥拓扑结构工艺，其特征在于，所述第二开关组件包括第二开关管（T1）、第二寄生二极管（D1）和第二寄生电容（C1）,且第二开关管（T2）、第二寄生二极管（D2）和第二寄生电容（C2）并联连接。

4.根据权利要求1所述的一种新型移相全桥拓扑结构工艺，其特征在于，所述第三开关组件和第四开关组件串联构成滞后桥臂开关组件，且第三开关组件包括第一开关管（T3）、第三寄生二极管（D3）和第三寄生电容（C3）,第三开关管（T3）、第三寄生二极管（D3）和第三寄生电容（C3）并联连接。

5.根据权利要求1所述的一种新型移相全桥拓扑结构工艺，其特征在于，所述第四开关组件包括第四开关管（T4）、第四寄生二极管（D4）和第四寄生电容（C4）,第四开关管（T4）、第四寄生二极管（D4）和第四寄生电容（C4）并联连接。

6.根据权利要求1所述的一种新型移相全桥拓扑结构工艺，其特征在于，所述变压器（TR）一端接入到第一开关组件和第二开关组件之间。

7.根据权利要求1所述的一种新型移相全桥拓扑结构工艺，其特征在于，所述变压器（TR）另一端接入到第三开关组件和第四开关组件之间。