[发明专利]一种场效应晶体管的实现方法

权利要求书

1.一种嵌入式晶体管的实现方法，其特征在于，包括：

步骤1：在目标晶体管中设置嵌入式通道，来将所述目标晶体管中的漏极和源极区域与栅极边界间隔预设距离；

步骤2：在所述栅极边界与源极之间以及栅极边界与漏极之间，分别建立对应的掺杂浓度，构成嵌入式晶体管；

所述嵌入式晶体管的结构公式如下：

；

其中，表示所述嵌入式晶体管的通道长度；表示所述嵌入式晶体管的栅极长度；a表示所述嵌入式晶体管的栅极至源极或栅极至漏极之间的距离；

同时，在重掺杂的N+源极和N+漏极之间的区域为低掺杂的N-嵌入式通道，所述N-嵌入式通道的长度大于栅极长度；

步骤3：对所述嵌入式晶体管进行验证，确定是否合格；

若合格，保持当前设置的嵌入式通道以及建立的掺杂浓度不变；

否则，对当前设置的嵌入式通道以及建立的掺杂浓度进行调整；

对所述嵌入式晶体管进行验证，确定是否合格，包括：

基于所述嵌入式晶体管进行预设条件下标准工作，并获取对应的工作参数，对所述工作参数进行分类处理，获得多类子数据；

获取验证工具的历史验证集合，并进行预分析，确定所述验证工具的成功验证次数以及失败验证次数，进而确定对应的验证准确率；

赋予每个验证工具对应的验证权限以及所述验证权限的权重值；

按照验证权限调取与所述子数据相匹配的验证工具，并按照所述匹配的验证工具对对应的子数据进行验证，获得第一验证结果；

按照每个验证工具的验证准确率以及对应的权重值，将所述第一验证结果进行加权求和，生成第二验证结果；

当所述第二验证结果大于预设验证值时，判定所述嵌入式晶体管不合格，并判断所述工作参数存在数据缺陷，提取所述工作参数中的缺陷参数，对所述缺陷参数所构成的缺陷事件进行逻辑校验；

将逻辑校验结果与预设校验结果进行比较，并按照预设校验结果获取对应的待调整结果；

根据所述待调整结果，确定与当前设置的嵌入式通道以及建立的掺杂浓度相关的待调整信息，并输出提醒；

当所述第二验证结果小于预设验证值时，判定所述嵌入式晶体管合格。

2.如权利要求1所述的实现方法，其特征在于，步骤1中，在目标晶体管中设置嵌入式通道之前包括：

确定所述目标晶体管的型号，并基于所述型号调取不同输入电压下所对应的源极和漏极区域与栅极边界重叠区域的标准电场强度；

当栅极与源极和漏极之间距离为第一距离时，按照间隔时间向所述目标晶体管输入不同目标电压，并测量对应的源极和漏极区域与栅极边界重叠区域的实际电场强度，同时，在测量得到实际电场强度的过程中，监测所述目标晶体管的工作参数集合，所述工作参数集合包括：当前工作温度、当前工作功率；

根据所述标准电场强度以及实际电场强度，确定所述目标晶体管的衰减系数，同时，根据所述工作参数集合，确定所述目标晶体管的工作稳定性；

基于第一距离的基础上按照距离增加规律进行距离增加，得到第二距离，并监测栅极与源极和漏极之间处于第二距离时，对应的不同目标电压的当前电场强度；

从所有当前电场强度，确定最佳电场强度集合，判断所述最佳电场强度集合中是否只存在一个电场强度数据；

若是，基于存储的一个电场强度数据，确定对应的第二距离；

若不是，基于所述衰减系数以及工作稳定性，从所述最佳电场强度集合中筛选最佳电场强度，并确定对应的第二距离；

其中，所述第二距离即为预设距离。