[发明专利]芯片外围反熔丝预修调电路及其修调方法有效
申请号: | 202110304645.4 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN112702055B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 毛晓峰;黄朝刚;李剑 | 申请(专利权)人: | 泉芯电子技术(深圳)有限公司 |
主分类号: | H03K19/00 | 分类号: | H03K19/00;H03K19/094;G05F1/56 |
代理公司: | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人: | 满群 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 外围 反熔丝预修调 电路 及其 方法 | ||
1.一种芯片外围反熔丝预修调电路的修调方法,其特征在于,包括以下步骤:
⑴熔烧前测试出电参数TEP的初始值TEP_i;
⑵根据初始值TEP_i与目标值TEP_t,用理论公式计算并四舍五入或取整后得到粗略预修调值N_i,将粗略预修调值N_i进行转换得到粗略预修调的反熔丝组合;所述的理论公式:
TEP=K1+K2*N (1)
式中:电参数TEP是基准电压;K1是一个未知量,随温度、工艺和电源电压变化,但在相同测试条件下是一个常数;所述相同测试条件:温度相同,工艺角相同,电源电压相同,同一颗芯片;K2是一个预先设计的常数,是已知的;N是修调值,将N转换后得到反熔丝的修调组合,N的最大值是预先设计好的,也是已知的,N的最小值为零,也就是不修调;
不修调时,N=0,代入公式(1)得到电参数TEP的初始值TEP_i:
TEP_i=K1 (2)
而电参数TEP的目标值TEP_t也是已知的,代入公式(1)得:
TEP_t=K1+K2*N_i (3)
结合公式(2)、(3)得到粗略预修调值N_i:
N_i=(TEP_t-TEP_i)/K2 (4);
⑶根据粗略预修调反熔丝组合按位对各位反熔丝进行粗略虚拟熔烧并测试出TEP的粗略电参数值TEP_r;
⑷假设理论上设计的电参数TEP的修调步长为PTS,计算粗略电参数值偏差TEP_d=TEP_t-TEP_r,计算TEP_d/PTS,取绝对值并四舍五入或取整后得到粗略预修调值的偏差N_d;
⑸根据所述偏差N_d确定N-amin至N-amax范围,所述N-amin是精准预修调范围的最小值,所述N-amax是精准预修调范围的最大值,从N-amin至N-amax范围进行遍历预修调,计算出N-amin到N-amax范围内的反熔丝修调组合,对每个反熔丝修调组合按位对各位反熔丝进行虚拟熔烧并测试出对应的电参数TEP预修调值,所述电参数TEP预修调值和各反熔丝组合一一对应,当在某个反熔丝组合下,测试到的电参数值和目标值最接近时,得到精准反熔丝组合和对应的精准预修调值N-a;
⑹按照精准预修调值N-a和对应的精准反熔丝组合对各位反熔丝按位进行熔烧,熔烧完成后,再测试验证电参数TEP的最终值TEP_f和目标值TEP_t之间的误差是否满足要求。
2.根据权利要求1所述芯片外围反熔丝预修调电路的修调方法,其特征在于,所述步骤⑶与所述步骤⑸进一步包括:芯片外围通过控制对应的开关Si对相应位的反熔丝进行虚拟熔烧,即第一熔烧电压Ti通过对应的开关Si连接到地时,模拟对应的反熔丝被熔短路连接到地后的状态,电参数TEP就会随之变化;而第一熔烧电压Ti悬空时,相对应的反熔丝位则无被虚拟熔烧;其中,i=1,2,3,…,n。
3.根据权利要求1所述芯片外围反熔丝预修调电路的修调方法,其特征在于,所述步骤⑷与所述步骤⑸进一步包括:
⑴假设N-amin是精准预修调范围的最小值,而N-amax是精准预修调范围的最大值,N-a是满足要求的精准预修调值;
⑵如果TEP_i是TEP数值中的最小值,
则当TEP_d0时,N-amin=N_i,N-amax=N_i+N_d+1;
当TEP_d0时,N-amin=N_i-N_d-1,N-amax=N_i;
当TEP_d=0时,N-a=N_i;
⑶如果TEP_i是TEP数值中的最大值,则
当TEP_d0时,N-amin=N_i-N_d-1,N-amax=N_i;
当TEP_d0时,N-amin=N_i,N-amax=N_i+N_d+1;
当TEP_d=0时,N-a=N_i。
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