[发明专利]存储器失效地址的输出方法及相关设备有效
申请号: | 202110303962.4 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN112927751B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 张朝锋;王春娟 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 吴莹 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 失效 地址 输出 方法 相关 设备 | ||
1.一种存储器失效地址的输出方法,其特征在于,包括:
获取目标存储器的结构信息,其中,所述目标存储器为经测试设备测试后的存储器,所述结构信息包括所述目标存储器的层级间对应关系以及每个层级包含的存储单元个数,所述层级包括存储器、存储块、子块以及行列,所述层级对应关系中包含所述存储器、存储块、子块以及所述行列间的关系,其中,所述存储器至少包含一个所述存储块,所述存储块至少包含一个所述子块,所述子块至少包含一个行列,所述一个行列至少包含一个所述存储单元;
根据测试数据记录失效信息,其中,所述测试数据为所述测试设备对所述目标存储器测试后得到的失效地址,所述失效信息包含所述目标存储器中每个所述层级包含的失效地址数量;
根据所述失效信息按照所述层级进行分析,确定目标存储器的失效类型,其中,所述失效类型包括第一失效类型及第二失效类型,所述第一失效类型用于表征所述目标存储器中失效单元按照整个所述层级失效,所述第二失效类型用于表征所述失效单元呈散点分布;
根据预设输出策略,按照所述第一失效类型选取对应的输出方式进行输出,其中,所述预设输出策略中包含有所述第一失效类型对应的输出方式。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据测试数据记录失效信息,包括:
根据所述测试数据分别确定每个所述层级的失效地址数量;
按照所述层级统计对应各个所述层级的失效地址数量,得到所述失效信息。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一失效类型包括存储器失效、存储块失效、子块失效以及行列失效;
所述根据所述失效信息按照所述层级进行分析,确定目标存储器的失效类型包括:
按照所述层级对应关系,判断所述目标存储器是否符合所述第一失效类型对应的失效条件;
若是,则确定所述目标存储器的失效类型为所述第一失效类型。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述失效条件包括:存储器失效条件对应的失效地址数量、存储块失效条件对应的失效地址数量、子块失效条件对应的失效地址数量,以及行列失效条件对应的失效地址数量;
所述按照所述层级对应关系,判断所述目标存储器是否符合所述第一失效类型对应的失效条件,包括:
根据所述层级对应关系,按照层级顺序依次确定所述目标存储器是否满足所述存储器失效条件对应的失效地址数量、所述存储块失效条件对应的失效地址数量、所述子块失效条件对应的失效地址数量,以及所述行列失效条件对应的失效地址数量;
所述判断所述目标存储器符合所述第一失效类型对应的失效条件,则确定所述目标存储器的失效类型为所述第一失效类型,包括:
当所述目标存储器满足所述存储器失效条件对应的失效地址数量时,确定所述目标存储器符合所述第一失效类型中的所述存储器失效;
当所述目标存储器不满足所述存储器失效条件对应的失效地址数量,但满足所述存储块失效条件对应的失效地址数量时,确定所述目标存储器符合所述第一失效类型中的所述存储块失效;
当所述目标存储器不满足所述存储器失效条件对应的失效地址数量及所述存储块失效条件对应的失效地址数量,但满足所述子块失效条件对应的失效地址数量时,确定所述目标存储器符合所述第一失效类型中的所述子块失效;
当所述目标存储器不满足所述存储器失效条件对应的失效地址数量、所述存储块失效条件对应的失效地址数量以及所述子块失效条件对应的失效地址数量,但满足所述行列失效条件对应的失效地址数量时,确定所述目标存储器符合所述第一失效类型中的所述行列失效。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,按照所述层级对应关系,判断所述目标存储器是否符合所述第一失效类型对应的失效条件之后,所述方法还包括:
若确定所述目标存储器不符合所述第一失效类型,且确定所述目标存储器存在失效地址时,则确定所述目标存储器的失效类型为所述第二失效类型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司,未经西安紫光国芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110303962.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。