[发明专利]一种张弛振荡器和存储芯片在审

专利信息
申请号: 202110303955.4 申请日: 2021-03-22
公开(公告)号: CN113054950A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 王艳 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: H03K3/012 分类号: H03K3/012
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 吴莹
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 张弛 振荡器 存储 芯片
【权利要求书】:

1.一种张弛振荡器,其特征在于,包括:

电流模比较器,用于获取基准偏置电流和基准参考电压,基于所述基准偏置电流和所述基准参考电压,对所述电流模比较器中的内部电容的充放电过程进行电压比较,实现所述电流模比较器输出状态翻转;

RS锁存器,用于基于所述内部电容的充放电和所述电流模比较器输出状态翻转,实现反复复位与置位,并输出第一振荡信号和第二振荡信号;

第一沿加速电路,用于加速所述第一振荡信号的上升沿或下降沿;

第二沿加速电路,用于加速所述第二振荡信号的上升沿或下降沿。

2.根据权利要求1所述的张弛振荡器,其特征在于,所述第一沿加速电路包括:

第一触发支路,用于在所述RS锁存器产生所述第一振荡信号时,导通所述第一沿加速电路;

第一加速电流输出支路,用于在导通所述第一沿加速电路时,产生并向所述RS锁存器的第一振荡信号输出端输出第一加速电流;

所述第二沿加速电路包括:

第二触发支路,用于在所述RS锁存器产生所述第二振荡信号时,导通所述第二沿加速电路;

第二加速电流输出支路,用于在导通所述第二沿加速电路时,产生并向所述RS锁存器的第二振荡信号输出端输出第二加速电流。

3.根据权利要求1所述的张弛振荡器,其特征在于,所述电流模比较器包括:振荡电容、第一比较器支路、第二比较器支路和第一尾电流支路;

所述第一比较器支路和所述第二比较器支路的并联电路与所述第一尾电流支路串联在工作电压端VDD和地之间;

所述振荡电容连接在所述第一比较器支路和所述第二比较器支路之间;

所述第一比较器支路与所述第二比较器支路交替连接所述振荡电容进行充放电;

所述第一尾电流输出支路用于为所述第一比较器支路与所述第二比较器支路提供偏置电流,并为所述振荡电容提供充电电流。

4.根据权利要求1所述的张弛振荡器,其特征在于,所述RS锁存器包括交叉耦合的两个或非门电路。

5.根据权利要求1至4任一所述的张弛振荡器,其特征在于,所述张弛振荡器还包括:

基准源产生电路,用于提供基准偏置电流和基准参考电压。

6.根据权利要求5所述的张弛振荡器,其特征在于,所述基准源产生电路包括PMOS管PM101和PM102,NMOS管NM101和NM102,以及第一电阻R1;

PM101和PM102的源极均连接VDD;PM101和PM102的栅极均连接PM102的漏极;PM101的漏极连接NM101的漏极;PM102的漏极还连接NM102的漏极;NM101和NM102的栅极均连接NM101的漏极;NM101的源极接地;NM102的源极经R1接地。

7.根据权利要求6所述的张弛振荡器,其特征在于,所述第一尾电流支路包括PMOS管PM103;所述第一比较器支路包括PMOS管PM104,以及NMOS管NM103和NM105;所述第二比较器支路包括PMOS管PM105,以及NMOS管NM104和NM106;所述振荡电容为第一电容C1;

PM103的源极连接VDD;PM103的栅极连接PM102的栅极;PM103的漏极分别连接PM104和PM105的源极;PM104的栅极连接NM105的栅极;PM104的漏极连接NM103的漏极;NM103的栅极和NM104的栅极均连接NM102的栅极;NM103的源极连接NM105的漏极;NM105的源极接地;PM105的栅极连接NM106的栅极;PM105的漏极连接NM104的漏极;NM104的源极连接NM106的漏极;NM106的源极接地;

C1的一端连接NM105的漏极,C1的相对的另一端连接NM106的漏极。

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