[发明专利]一种显示基板及其制作方法有效
申请号: | 202110301833.1 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN113097241B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 刘念;卢马才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种显示基板及其制作方法,该显示基板包括位于基板上的源极和漏极,覆盖源极和漏极的第一层间介质层,位于第一层间介质层、源极和漏极上的第一导体层,位于第一导体层上的第一栅极绝缘层,以及位于第一栅极绝缘层上的第一栅极层。其中,第一层间介质层在源极和漏极的上方分别具有开孔,使第一导体层可以通过开孔与源极和漏极连接。由于第一导体层作为有源层,同时与源极和漏极连接作为源漏极的导线,因此不需要另外形成源漏极导线,结构简单。另外,第一层间介质层的开孔相对于现有结构中缓冲层和层间介质层的开孔,深度减小,因而可以降低工艺难度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法。
背景技术
作为新兴显示技术,自发光显示器比如微型发光二极管(Micro Light-emittingDiode,Micro LED)和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED),相较于传统液晶显示器(Light Crystal Display,LCD)显示有较多优势,如较低的功耗,较高的色域,较快的相应速率等,被视为较有发展前景的一种显示技术。因此,较多面板厂家参与Micro LED、OLED技术的开发之中。受到转移技术及电流驱动带来的影响,MicroLED目前仅能做较小尺寸,若要实现大尺寸显示,需要采用拼接的技术方案。同时,折叠显示作为新的显示形态受到越来越多消费者青睐。拼接与折叠均需要采用柔性基板弯折技术实现。
现有的顶栅型薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是先在基板上形成有源层,在有源层上形成层间介质层和缓冲层,然后对层间介质层和缓冲层打孔形成与有源层连接的源漏极,最后形成与源漏极连接的导线,导致开孔尺寸较深,工艺难度较大,而且结构复杂。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制作方法,旨在简化结构,缩小开孔深度,降低工艺难度。
一方面,本发明提供一种显示基板,所述显示基板包括平坦区和折叠区,所述平坦区包括薄膜晶体管区、电容区和绑定区,所述显示基板在纵向包括:
基板;
位于所述基板上的金属层,所述金属层包括位于所述薄膜晶体管区的源极和漏极;
覆盖所述源极和所述漏极的第一层间介质层,所述第一层间介质层在所述源极和所述漏极的上方分别具有开孔;
位于所述第一层间介质层、所述源极和所述漏极上的第一导体层,所述第一导体层通过所述开孔与所述源极和所述漏极连接;
位于所述第一导体层上的第一栅极绝缘层;
位于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极层。
进一步优选的,所述金属层还包括位于所述折叠区的第一金属线,所述显示基板在所述纵向还包括:位于所述第一金属线上的第二层间介质层,位于所述第二层间介质层上的第二栅极绝缘层,位于所述第二栅极绝缘层上的第二栅极层,以及覆盖所述第一金属线、所述第二层间介质层、所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极层的有机层。
进一步优选的,所述金属层还包括位于所述折叠区的第一金属线,所述显示基板在所述纵向还包括:位于所述第一金属线上的第二层间介质层,以及覆盖所述第一金属线和所述第二层间介质层的有机层。
进一步优选的,所述显示基板在所述纵向还包括:位于所述折叠区的第二栅极绝缘层,位于所述第二栅极绝缘层上的第二栅极层,以及覆盖所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极层的有机层。
进一步优选的,所述金属层还包括位于所述绑定区的第二金属线,所述显示基板在所述纵向还包括:位于所述第二金属线上的第二导体层,以及位于所述第二导体层上的阳极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的