[发明专利]一种SmCo永磁薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110301252.8 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113106406B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 邱兆国;魏卢;张远慰;曾德长;郑志刚;王刚 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 smco 永磁 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)选取磁体，进行有限元分析，模拟磁体的磁力线分布，计算得到磁通密度和磁场作用区域范围；
2)将磁体固定在样品台上，再根据步骤1)的分析结果将基底固定在样品台上，并确保磁场垂直穿过基底，再采用SmCo合金靶进行磁控溅射镀膜，再将得到的薄膜放入真空管式炉中，通入高纯氩气作为保护气，升温至550℃进行热处理，退火时间为900s，再随炉冷却至室温，即得SmCo永磁薄膜；
步骤1)所述有限元分析采用的软件为ANSYS软件；步骤2)所述SmCo合金靶至样品台中心距离为80mm～120mm；步骤2)所述磁控溅射镀膜得到的SmCo薄膜的厚度为200nm～300nm。
2.根据权利要求1所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1)所述磁体为钕铁硼磁体。
3.根据权利要求1所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述样品台为不导磁且易加工的样品台。
4.根据权利要求1或3所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述基底为单晶Si(100)基底、石英玻璃基底中的一种。
5.根据权利要求1或3所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述SmCo合金靶中Sm、Co的摩尔比为1:3～1:8。
6.根据权利要求1或3所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述磁控溅射的功率为60W～80W，工作气压为0.1Pa～1Pa。
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