[发明专利]数位运算组件、数位计算器及电子设备在审
| 申请号： | 202110300296.9 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113010145A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 周艳;李晓光;赵月雷;李双 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | G06F7/50 | 分类号： | G06F7/50;G06F7/575;G06F7/38 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 魏宇星 |
| 地址： | 518172 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 数位 运算 组件 计算器 电子设备 | ||
1.一种数位运算组件，其特征在于，包括：
金属层；
反铁磁层，覆盖设置于所述金属层的表面，具有用于承载第一双半子团簇的第一区域；用于承载第二双半子团簇的第二区域；当所述金属层中与所述第一区域对应的部分以及所述金属层中与所述第二区域对应的部分同时输入电压驱动时，所述第一双半子团簇和所述第二双半子团簇进行合并或湮灭的第三区域；以及用于读取所述第三区域合并或湮灭后形成的新双半子团簇的聚合度的第四区域。
2.根据权利要求1所述的数位运算组件，其特征在于，所述金属层的厚度为0.5纳米至20纳米。
3.根据权利要求1所述的数位运算组件，其特征在于，所述金属层为钽、钨、铂、金、银、铼、铱、铌、钼、钌、铑、钯、钛、钒、铬、铅、铋、铜和铪中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的数位运算组件，其特征在于，所述反铁磁层为具备面内磁化易轴或者以薄膜平面作为磁化易面类型的反铁磁层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的数位运算组件，其特征在于，所述反铁磁层的厚度为0.5纳米至5纳米。
6.根据权利要求1-4任一项所述的数位运算组件，其特征在于，所述反铁磁层为锰基合金层、过渡金属氧化物层或者多晶钙钛矿薄膜层。
7.根据权利要求1-4任一项所述的数位运算组件，其特征在于，所述反铁磁层的材料为IrMn、PtMn、NiMn、NiO、CoO、Cr2O3、SrMnO3、CaMnO3、KMnF3、KNiF3、KCrF3中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的数位运算组件，其特征在于，所述数位运算组件的形状呈T型。
9.一种数位计算器，其特征在于，包括输出器以及权利要求1-8任一项所述的数位运算组件，所述输出器连接所述数位运算组件的第四区域。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的数位运算组件。
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