[发明专利]一种对应变敏感的二维铁磁Cr2

权利要求书

1.一种对应变敏感的二维铁磁Cr₂Te₃纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

首先，将云母衬底放置于U型槽内；接着，将所述U型槽、无水CrCl₂粉及Te粉间隔设置并进行加热，以在所述云母衬底邻近所述U型槽底面的表面上化学气相沉积生长成二维铁磁Cr₂Te₃纳米片。

2.如权利要求1所述的对应变敏感的二维铁磁Cr₂Te₃纳米片的制备方法，其特征在于：所述U型槽为石英槽，多片云母衬底无间隙地平铺在所述U型槽内。

3.如权利要求1所述的对应变敏感的二维铁磁Cr₂Te₃纳米片的制备方法，其特征在于：所述无水CrCl₂粉的质量为5mg～10mg；所述Te粉的质量为50mg～150mg。

4.如权利要求1～3任一项所述的对应变敏感的二维铁磁Cr₂Te₃纳米片的制备方法，其特征在于：所述无水CrCl₂粉是在手套箱内存放及称量的。

5.如权利要求1～3任一项所述的对应变敏感的二维铁磁Cr₂Te₃纳米片的制备方法，其特征在于：所述无水CrCl₂粉及所述Te粉分别采用烧舟进行承载，且在使用前对所述烧舟进行烘烤。

6.如权利要求1～3任一项所述的对应变敏感的二维铁磁Cr₂Te₃纳米片的制备方法，其特征在于：采用氩气作为载气，氩气的流量为40sccm～100sccm。

7.如权利要求1～3任一项所述的对应变敏感的二维铁磁Cr₂Te₃纳米片的制备方法，其特征在于：所述U型槽、所述无水CrCl₂粉及所述Te粉间隔设置在单温区管式炉内，所述管式炉的温度为810℃～850℃，保温时间为5min～15min，升温速率为30℃/min。

8.如权利要求7所述的对应变敏感的二维铁磁Cr₂Te₃纳米片的制备方法，其特征在于：无水CrCl₂粉置于管式炉的中心位置，Te粉置于离中心位置14cm的上游，U型槽置于中心位置的下游。

9.一种对应变敏感的二维铁磁Cr₂Te₃纳米片，其特征在于：所述二维铁磁Cr₂Te₃纳米片是采用权利要求1～8任一项所述的对应变敏感的二维铁磁Cr₂Te₃纳米片的制备方法制备而成的。