[发明专利]一种半导体发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：

衬底，具有相对的正面和背面；

堆叠外延层，包括依次形成在所述衬底正面上的第一半导体层、有源层以及与所述第一半导体层的导电类型相反的第二半导体层，所述半导体发光器件自所述堆叠外延层的第一侧面出光；

形成在与所述半导体发光器件的所述第一侧面相对的侧面的反射层；

第一电极结构，包括位于所述衬底背面的第一欧姆接触层，以及位于所述第一欧姆接触层上且远离衬底的一侧的连接金属层；

所述连接金属层延伸至所述堆叠外延层的第一侧面及与所述第一侧面相对的侧面，并覆盖所述反射层，所述反射层包括形成在与所述半导体发光器件的第一侧面相对的侧面之上的多层结构，所述反射层的每层结构均分别与所述连接金属层连接。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述衬底包括GaN基衬底，所述半导体发光器件包括GaN激光二极管。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述反射层由Al₂O₃、Ta₂O₅、MgF₂、SiO₂、TiO₂、ZrO₂和HfO₂中的至少一种形成。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件的第一侧面上形成抗反射层。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述连接金属层包括自所述第一欧姆接触层依次形成的金属反射层和金属键合层。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于，所述连接金属层由Ag、Al、Cu、Au、Ti、Pt、Cr中的至少一种形成。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，还包括形成在所述第二半导体层上的第二电极结构。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述连接金属层在所述反射层的外侧的位置低于所述有源层。

9.一种半导体发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底正面上依次形成第一半导体层、有源层以及第二半导体层以形成堆叠外延层，所述半导体发光器件自所述堆叠外延层的第一侧面出光；

在与所述半导体发光器件的所述第一侧面相对的一个侧面形成反射层；

在所述衬底背面形成第一欧姆接触层并在所述第一欧姆接触层远离衬底的一侧形成连接金属层以形成第一电极结构；所述连接金属层延伸至所述外延堆叠层的第一侧面及与所述第一侧面相对的侧面，并覆盖所述反射层；

在与所述半导体发光器件的第一侧面相对的一个侧面形成反射层包括在与所述半导体发光器件的第一侧面相对的一个侧面依次形成多层反射层，使所述反射层的每层结构均分别与所述连接金属层连接。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底的背面形成所述第一电极结构之前还包括：在所述半导体发光器件的所述第一侧面形成抗反射层。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成所述连接金属层还包括以下步骤：

在所述第一欧姆接触层远离衬底的一侧形成金属反射层，所述金属反射层还延伸覆盖在反射层的上面；

在所述金属反射层之上形成金属键合层。

12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括在所述第二半导体层上形成第二电极结构。