[发明专利]一种V2

权利要求书

1.一种V₂O₅-Ga₂O₃异质结自供电日盲光电探测器，其特征在于，包括：

V₂O₅-Ga₂O₃异质结，该V₂O₅-Ga₂O₃异质结由作为n型导电的Ga₂O₃材料和作为p型导电的V₂O₅材料形成，且该V₂O₅-Ga₂O₃异质结是通过VO_x-Ga₂O₃异质结退火形成；

与所述Ga₂O₃材料欧姆接触的第一电极；

与所述V₂O₅材料欧姆接触的第二电极。

2.根据权利要求1所述的V₂O₅-Ga₂O₃异质结自供电日盲光电探测器，其特征在于，所述Ga₂O₃材料为薄膜，薄膜厚度为10 nm~5 μm。

3.根据权利要求1所述的V₂O₅-Ga₂O₃异质结自供电日盲光电探测器，其特征在于，所述V₂O₅材料为薄膜，薄膜的厚度为5nm~500 nm。

4.根据权利要求1所述的V₂O₅-Ga₂O₃异质结自供电日盲光电探测器，其特征在于，所述第一电极和第二电极的材料为铝、铜、银、铂、钛、镓、铟和金中的一种或多种组合。

5.一种V₂O₅-Ga₂O₃异质结自供电日盲光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底上制备Ga₂O₃薄膜；

在所述Ga₂O₃薄膜的部分区域覆盖形成VO_x薄膜，再退火形成V₂O₅薄膜，以从VO_x-Ga₂O₃异质结形成V₂O₅-Ga₂O₃平面异质结；

在未覆盖V₂O₅薄膜的Ga₂O₃薄膜上，以及V₂O₅薄膜上，分别形成第一电极和第二电极。

6.如权利要求5所述的V₂O₅-Ga₂O₃异质结自供电日盲光电探测器的制备方法，其特征在于，所述形成V₂O₅薄膜的步骤包括：

在Ga₂O₃薄膜的部分区域旋涂三异丙氧基氧化钒溶液；

加热蒸干所述溶液的溶剂，使所述三异丙氧基氧化钒分解获得钒的氧化物；

对所述钒的氧化物进行退火。

7.如权利要求6所述的V₂O₅-Ga₂O₃异质结自供电日盲光电探测器的制备方法，其特征在于，所述三异丙氧基氧化钒溶液的溶剂为甲醇、乙醇、丙醇和异丙醇中的一种或多种组合。