[发明专利]一种FeSiAl-SiO2

权利要求书

1.一种微波衰减复合涂层，其特征在于，包括依次布设在基体上的FeSiAl微波衰减层、中间层为FeSiAl-SiO₂复合过渡层和外层为SiO₂阻抗匹配层；基体为无氧铜；

内层为FeSiAl微波衰减层，其质量成分为75～85％Fe、10～15％Si、5～10％Al；中间层为FeSiAl-SiO₂复合过渡层在垂直方向上成分渐变，其中FeSiAl质量分数在90～10％内变化，SiO₂的质量分数在10～90％范围内变化；外层为SiO₂阻抗匹配层。

2.根据权利要求1所述的微波衰减复合涂层，其特征在于，所述内层FeSiAl微波衰减层厚度为0.5～20μm。

3.根据权利要求1所述的微波衰减复合涂层，其特征在于，所述中间层FeSiAl-SiO₂复合过渡层厚度为0.5～20μm。

4.根据权利要求1所述的微波衰减复合涂层，其特征在于，所述外层SiO₂阻抗匹配层厚度为0.5～20μm。

5.制备如权利要求1～4任意一项所述的微波衰减复合涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将基体材料单面抛光至粗糙度为0.1～2.0μm，超声清洗并烘干后得到表面光洁平整的基体材料试样；

(2)在基体表面以气相沉积、电化学沉积或溶胶涂敷烧结的方式制备FeSiAl层；

(3)在FeSiAl层上以气相沉积的方式制备FeSiAl-SiO₂成分渐变的复合过渡层；

(4)在过渡层表面以气相沉积或溶胶凝胶的方式制备SiO₂层，最终获得成分渐变的复合微波衰减涂层；

气相沉积方法为多靶共溅射沉积，其中Fe靶位于直流电源靶位，Al靶、Si靶和SiO₂靶均位于射频电源靶位。

6.根据权利要求4所述的微波衰减复合涂层的制备方法，其特征在于，采用多靶磁控共溅射技术制备内层FeSiAl微波衰减层和中间FeSiAl-SiO₂复合过渡层，制备过程为：以纯Fe靶、Al靶、Si靶和SiO₂靶作为溅射靶材；先预抽真空至10^-4～10^-2Pa；然后通入Ar气进行多靶共溅射，溅射电流为0.5～5.0A，溅射功率为30～400W、溅射气压为0.5～2.0Pa，靶基距为50～200mm。

7.根据权利要求4所述的微波衰减复合涂层的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射技术制备外层SiO₂阻抗匹配层，制备过程为：以SiO₂靶作为溅射靶材；先预抽真空至10^-4～10^-2Pa；然后通入Ar气进行溅射沉积，溅射功率为30～400W、溅射气压为0.5～2.0Pa，靶基距为50～200mm。