[发明专利]一种遇水显色有机光电探测器的封装结构及其制备方法和光电探测器

权利要求书

1.一种遇水显色有机光电探测器的封装结构，包括衬底和有机光电探测器，所述有机光电探测器生长在所述衬底上，其特征在于，在所述有机光电探测器上生长有封装保护层，所述封装保护层为无机隔绝层和有机隔绝层交替叠层设置，所述有机光电探测器上首先生长有无机隔绝层，以有机层隔绝层为最后一层，且在每层无机隔绝层和有机隔绝层之下均设置有遇水显色区域。

2.根据权利要求1所述的一种遇水显色有机光电探测器的封装结构，其特征在于，所述无机隔绝层的材料包含金属氧化物或者金属氮化物，包括氧化铝或氧化锆；厚度为100nm~1μm。

3.根据权利要求1所述的一种遇水显色有机光电探测器的封装结构，其特征在于，所述有机隔绝层的材料为乙二醇铝，乙二醇锆，丙烯酸酯、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯和派瑞林中的任意一种或几种；厚度为100nm~10μm。

4.根据权利要求1所述的一种遇水显色有机光电探测器的封装结构，其特征在于，所述遇水显色区域包含有无水硫酸铜或无水氯化钴。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种遇水显色有机光电探测器的封装结构，其特征在于，所述封装保护层依次为第一遇水显色区域、第一层无机隔绝层、第二遇水显色区域、第一层有机隔绝层、第三遇水显色区域、第二层无机隔绝层、第四遇水显色区域、第二层有机隔绝层。

6.基于一种遇水显色有机光电探测器的封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下的步骤：

步骤1：制备第一个邻近有机光电探测器的遇水显色区域；

步骤2：在步骤1的基础上制备第一层无机隔绝层；

步骤3：在第一层无机隔绝层旁制备第二个遇水显色区域；

步骤4：步骤3的基础上制备第一层有机隔绝层；

步骤5：重复0-3次所述步骤2、3和4，直至得到遇水显色有机光电探测器的封装结构。

7.根据权利要求6所述一种遇水显色有机光电探测器的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1中若所述遇水显色区域为含有氯化钴成分的变色硅胶，其具体的制备方法为：先用掩膜盖板或者锡纸等覆盖物将有机光电探测器封盖住，再将由碱金属氧化物和二氧化硅结合而成的可溶性碱金属硅酸盐材料的水玻璃和配置好PH值的盐酸调节液混合后得到混合液，将混合液通过旋涂仪旋涂到已经覆盖有掩膜盖板或锡纸的有机光电探测器旁的衬底上，半分钟后混合液开始凝结成硅胶时用少量氯化钴溶液对硅胶涂抹，等氯化钴溶液浸润到硅胶层内，在低水氧环境内用100℃温度的加热平台对其烘干，得到一层含氯化钴的变色硅胶的遇水显色区域。

8.根据权利要求6所述一种遇水显色有机光电探测器的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤2中所述无机隔绝层采用物理气相沉积，化学气相沉积和原子层沉积中的任意一种制备。

9.根据权利要求6所述一种遇水显色有机光电探测器的封装结构的制备方法，其特征在于，步骤4中所述有机隔绝层采用沉积，旋涂，喷墨和3D打印中的任意一种制备。

10.包含权利要求1-5任一项所述的一种遇水显色有机光电探测器的封装结构的有机光电探测器。