[发明专利]金属互连线的自限制效应阈值的确定方法及其确定装置有效
申请号: | 202110296965.X | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113065308B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 王志强 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G06F30/394 | 分类号: | G06F30/394;G06F30/398;G06F17/15;G06F111/10;G06F119/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 互连 限制 效应 阈值 确定 方法 及其 装置 | ||
1.一种金属互连线的自限制效应阈值的确定方法,其特征在于,所述自限制效应阈值为所述金属互连线的电迁移临界值,所述方法包括:
获取多个不同的第一参数值和多个不同的第二参数值,所述第一参数值为金属互连线的长度与所述金属互连线的电迁移寿命的比值,所述第二参数值为所述金属互连线的电流密度与所述长度的乘积;
根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值,构建所述第一参数值和所述第二参数值的函数关系;
根据所述函数关系,确定预定材料的自限制效应阈值,所述自限制效应阈值为所述第一参数值为0时对应的所述第二参数值,所述金属互连线由所述预定材料构成,在所述金属互连线的所述第二参数值小于所述自限制效应阈值的情况下,所述金属互连线不发生电迁移。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,获取多个不同的第一参数值和多个不同的第二参数值,包括:
获取所述长度、所述电迁移寿命以及所述电流密度中至少两个的不同测试值,得到至少两个测试数据集,各所述测试数据集包括多个不同的所述测试值;
根据至少两个所述测试数据集,确定多个所述第一参数值和多个所述第二参数值。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,获取所述长度、所述电迁移寿命以及所述电流密度中至少两个的不同测试值,得到至少两个测试数据集,包括:
获取多个不同的第一测试值,得到第一测试数据集,其中,所述第一测试值为所述长度,多个所述金属互连线的材料相同,且多个所述金属互连线为相同工艺制作得到的金属互连线;
建立所述金属互连线的电迁移寿命模型;
根据所述电迁移寿命模型,获取多个不同的第二测试值,得到第二测试数据集,其中,所述第二测试值为所述电迁移寿命。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,获取所述长度、所述电迁移寿命以及所述电流密度中至少两个的不同测试值,得到至少两个测试数据集,包括:
建立所述金属互连线的电迁移寿命模型;
根据所述电迁移寿命模型,获取多个不同的第二测试值,得到第二测试数据集,其中,所述第二测试值为所述电迁移寿命;
获取多个不同的第三测试值,得到第三测试数据集,其中,所述第三测试值为所述电流密度。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值,构建所述第一参数值和所述第二参数值的函数关系,包括:
构建初始函数关系式,所述初始函数关系式包括未知参数;
根据多个所述第一参数值和多个所述第二参数值,确定所述未知参数,得到所述函数关系。
6.一种芯片的设计参数的确定方法,其特征在于,包括:
采用权利要求1至5中任一项所述的方法获取金属互连线的自限制效应阈值;
根据所述自限制效应阈值,确定所述金属互连线在所述芯片中的设计长度以及所述芯片的额定电流。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,根据所述自限制效应阈值,确定所述金属互连线在所述芯片中的设计长度以及所述芯片的额定电流,包括:
确定所述设计长度与所述额定电流中的一个;
根据所述自限制效应阈值,确定所述设计长度与所述额定电流中的另一个,以使得所述额定电流与所述设计长度的乘积小于预定值,所述预定值为所述自限制效应阈值与所述金属互连线的横截面积的乘积。
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