[发明专利]一种整片电池片多切小电池片的划片方法及装置有效
申请号: | 202110295545.X | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113066760B | 公开(公告)日: | 2023-02-14 |
发明(设计)人: | 冯建磊;常立华;田养华 | 申请(专利权)人: | 宁夏小牛自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/68;H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 安少妮 |
地址: | 750001 宁夏回族自*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 片多切小 划片 方法 装置 | ||
本发明提供了一种整片电池片多切小电池片的划片方法及装置,用于将一片电池片划裂为n片小电池片,具体步骤如下:用扫描激光将待划裂电池片的每条待分裂线的两端头刻蚀一小段槽,再使用数量为n‑1的裂片装置分别作用于n‑1条待分裂线,将电池片划裂为n片小电池片,还提供了一种实施该划片方法的装置,本发明克服了现有技术切割小电池片尺寸精度低,裂片装置布局空间不足的技术问题,显著提高了划片精度和划片效率,增强了多种规格电池片划片的设备通用性。
技术领域
本发明属于太阳能电池片生产技术领域,具体涉及一种整片电池片多切小电池片的划片方法,尤其还涉及一种整片电池片多切小电池片的划片装置。
背景技术
小间距或负间距电池片密排组件技术中的切片组件技术能更有效地提高组件效率,小间距或负间距电池片密排组件技术优化了组件结构,大大减少了组件的内部损耗,大幅度提高了组件的输出功率。保证了组件封装过程中功率损失最小,有效降低了反向电流和组件产生热斑效应的影响,并具有良好的可靠性。
要生产小间距或负间距电池片密排组件,首先需要将整片的太阳能电池片切分为所需的分片,如1/2片、1/3片、1/4片、1/5片、1/6片等,现有技术也提出了一些高效划裂电池片的方法和设备。如,公开号为CN111916532A,公开日期为2020-11-10,名称为一种高效分裂太阳能电池片的方法及装置的专利文件,该专利技术在划裂n分片电池片时,设置n-1组切分电池片的裂片装置,每次最多同时启动任意两个裂片装置使其同时同向实现2条待分裂线的裂片,直至完成电池片n-1条分裂线的切分,其中裂片装置包括第一激光组件,第二激光组件和冷却部。采用该专利技术生产5分片和6分片电池片时,需要在一张电池片的宽度范围内布置多组裂片装置,由于空间有限,不能在同一排同时布置多组裂片装置,因此需要沿传输装置的方向,间隔一段距离分布1 排或2排裂片装置,实际生产中,如果采用公开号为CN111916532A专利文件说明书附图12、图18和图22所示划片方案,同时沿相邻待分裂线划裂电池片时,由于空间太小很难实现裂片装置的安装与布置,导致方案无法实现。
其次,采用该专利技术生产4分片,5分片和6分片电池片时,需要对电池片进行2次或3次的切分,沿传输装置的方向,间隔一段距离分布1排或2 排裂片装置,为保证所有的裂片轨迹都与待分裂线重合,以待分裂电池片中某一待分裂线为参考线,需要不同排的裂片装置安装时,确保裂片装置对电池片的裂片分裂线相对于该参考线的偏离误差要足够小,对于6分片电池片的生产,由于要进行3次划片,故要设置3排裂片装置,每一排裂片装置的裂片分裂线相对于参考线都会存在一定误差,那么3排裂片装置之间的裂片分裂线的累积误差就会很大,造成裂片后的电池片存在宽度尺寸的误差缺陷。
再次,对于6分片电池片的生产,由于要进行3次划片,故要设置3排裂片装置,加长了生产线的长度,造成某些场地长度空间不足的电池片生产厂家无法使用该设备。
发明内容
术语定义:
分片:将电池片等分为n片小电池片,例如2分片表示将一张电池片等分划裂为2片电池片,3分片表示将一张电池片等分划裂为3片小电池片,以此类推。
待划裂电池片:通常指进入划裂生产线中的一整片电池片。
待分裂线:将电池片完全等分为多片分片电池片的理想分割线。
本发明为解决现有技术中存在的问题,提出了一种整片电池片多切小电池片的划片方法,用于将一整片电池片划裂为n片小电池片,n=2~6,且n为自然数,具体步骤如下:
步骤一:用扫描激光将待划裂电池片的每条待分裂线的两端头刻蚀一小段槽;
步骤二:在第一划裂工位将实施步骤一后的电池片用裂片装置沿待分裂线划裂为2片电池片;
步骤三:在第二划裂工位将实施步骤二之后的2片电池片用裂片装置沿剩余待分裂线将电池片划裂为n片;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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