[发明专利]体声波谐振器和滤波器

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基板；

第一电极，设置在所述基板之上；

压电主体，设置在所述第一电极上，并包括具有掺杂材料的氮化铝；以及

第二电极，设置在所述压电主体上，

其中，所述压电主体沿厚度方向包括多个区域，并且

所述多个区域至少包括第一区域和第二区域，所述第一区域的在c轴方向上的晶格常数与在a轴方向上的晶格常数的比c/a，大于所述第二区域的在c轴方向上的晶格常数与在a轴方向上的晶格常数的比c/a。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一区域相对于所述第二区域更靠近所述第一电极。

3.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中，所述第一区域设置为与所述第一电极接触。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一区域的密度大于所述第二区域的密度，所述第一区域的折射率大于所述第二区域的折射率。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述第一区域的密度超过3.4681g/cm³，所述第一区域的折射率超过2.1135。

6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一区域的c轴晶格常数比所述第二区域的c轴晶格常数大。

7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一区域的比c/a比在未施加应力的状态下形成的区域的比c/a大。

8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述掺杂材料包括从由钪、铒、钇、镧、钛、锆和铪组成的组中选择的一种或它们的组合。

9.根据权利要求1或8所述的体声波谐振器，其中，所述掺杂材料的含量为1at％至20at％。

10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第二区域的比c/a比在未施加应力的状态下形成的区域的比c/a小。

11.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述压电主体具有密排六方堆叠结构。

12.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述多个区域中除了所述第一区域之外的区域的比c/a比在未施加应力的状态下形成的区域的比c/a小。

13.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述体声波谐振器还包括形成在所述第一电极与所述基板之间的气腔。

14.一种体声波谐振器，包括：

基板；

第一电极，设置在所述基板之上；

压电主体，设置在所述第一电极上，并包括具有掺杂材料的氮化铝；以及

第二电极，设置在所述压电主体上，

其中，所述第一电极在a轴方向上的晶格常数大于

15.根据权利要求14所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极在a轴方向上的晶格常数大于

16.根据权利要求14所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极包括从由金、钛、钽、钼、钌、铂、钨、铝、镍和铱组成的组中选择的一种或它们的合金。

17.根据权利要求14所述的体声波谐振器，其中，所述压电主体具有密排六方堆叠结构。

18.根据权利要求14所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极具有体心立方晶格结构。