[发明专利]半导体元件的制作方法

说明书

本发明公开一种半导体元件的制作方法，包含提供一基底，在该基底上沉积一材料层，对该材料层进行一平坦化步骤，移除部分该材料层，在该平坦化步骤之后，对剩余的该材料层进行一掺杂步骤，以及进行一清洗步骤，同时移除该平坦化步骤后所产生的杂质以及该掺杂步骤后所产生的杂质。

技术领域

本发明涉及半导体制作工艺领域，尤其是涉及一种简化半导体存储元件中制作浮置栅极(floating gate)结构的方法。

背景技术

半导体存储器为计算机或电子产品中用于存储资料或数据的半导体元件，其可大概分为挥发性存储器(volatile)与非挥发性存储器，其中非挥发性存储器由于具有不因电源供应中断而造成存储数据遗失的特性，而被广泛地使用。

然而，随着计算机微处理器的功能越来越强大，对大容量且低成本的存储器的需求也越来越高。为了满足此一趋势以及半导体科技对高集成度持续的挑战，存储器结构愈趋微缩，而存储器结构的制作工艺愈趋复杂。同时由于制作工艺变得更复杂且步骤也变得更多，因此也拉长了制作工艺的总时间。

举例来说，现有制作半导体元件中的浮置栅极的材料层(例如多晶硅层)时，可能分别在离子掺杂步骤、平坦化步骤后以及退火步骤后都会进行清洗步骤，如此一来虽然可以即时清洗基底上所残留的杂质，但是也增加了制作工艺了步骤且拉长制作工艺的总时数。

发明内容

为了解决以上问题，本发明提出一种半导体元件的制作方法，可以缩短半导体制作工艺的时间。

本发明的一实施例中，提供一种半导体元件的制作方法，包含提供一基底，在该基底上沉积一材料层，对该材料层进行一平坦化步骤，移除部分该材料层，在该平坦化步骤之后，对剩余的该材料层进行一掺杂步骤，以及进行一清洗步骤，同时移除该平坦化步骤后所产生的杂质以及该掺杂步骤后所产生的杂质。

本发明的特征在于，制作浮置栅极的材料层(例如多晶硅层)时，先进行平坦化步骤以降低材料层的厚度，然后进行离子掺杂步骤，以充分地将离子掺杂到材料层中。值得注意的是，在平坦化步骤以及离子掺杂步骤的过程都分别会产生不必要的杂质，而本发明在离子掺杂步骤后才进行清洗步骤，同时清除平坦化步骤以及离子掺杂步骤的过程分别产生的杂质，以达到节省步骤的功效。

附图说明

图1为制作本发明半导体元件的流程图；

图2至图5为制作本发明半导体元件的剖面结构示意图。

主要元件符号说明

100:基底

102:元件区

103:衬垫层

104:逻辑区

106:浅沟隔离

108:多晶硅层

109:杂质

P1:平坦化步骤

P2:离子掺杂步骤

P3:SPM清洗步骤

P4:RCA清洗步骤

S101:步骤

S102:步骤

S103:步骤

S104:步骤

S105:步骤

S105:步骤

S107:步骤

S108:步骤

S109:步骤

S110:步骤