[发明专利]具有透气罩的传感器装置及所属的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110294766.5 申请日: 2021-03-19
公开(公告)号: CN113526450A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: R·M·沙勒;K·伊利安;H·托伊斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 闫昊
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 透气 传感器 装置 所属 制造 方法
【说明书】:

本公开的实施例涉及具有透气罩的传感器装置及所属的制造方法。传感器装置包括具有MEMS结构的传感器芯片以及透气罩,其中MEMS结构布置在传感器芯片的主表面处,透气罩布置在传感器芯片的主表面上方,透气罩覆盖MEMS结构并在MEMS结构上方形成空腔。

技术领域

本公开涉及具有透气罩的传感器装置及所属的制造方法。

背景技术

传感器装置可以具有MEMS(微机电系统)结构,以检测物理量,例如压力、加速度、光、气体等。由传感器装置提供的测量结果可能以多种方式失真,例如由于在敏感的MEMS结构上有污物颗粒、或传感器装置的组件之间有热机械应力。传感器装置制造商一直致力于改善其产品。特别地,期望开发一种考虑到上述问题并提供改进的测量结果的传感器装置。还可能期望提供一种用于制造这种传感器装置的方法。

发明内容

多个不同方面涉及传感器装置。传感器装置包括具有MEMS结构的传感器芯片,其中MEMS结构布置在传感器芯片的主表面处。传感器装置还包括透气罩,其布置在传感器芯片的主表面上方,透气罩覆盖MEMS结构并在MEMS结构上方形成空腔。

多个不同方面涉及用于制造传感器装置的方法。方法包括产生具有多个传感器芯片的半导体晶圆,其中每个传感器芯片都具有布置在半导体晶圆的主表面处的MEMS结构。方法还包括在半导体晶圆的主表面上方形成多个透气罩,其中每个透气罩覆盖MEMS结构中的一个MEMS结构,并且在MEMS结构上方形成空腔。该方法还包括将半导体晶圆分隔成多个传感器装置。

附图说明

下面借助于附图更详细地解释根据本公开的装置和方法。附图中示出的元件未必是相对彼此按比例绘制的。相同的附图标记可以标识相同的组件。

图1包含图1A至1F,其示意性地示出了用于制造根据本公开的传感器装置100的方法。

图2示出了根据本公开的传感器装置200的侧视截面图。

图3示出了根据本公开的传感器装置300的侧视截面图。

图4示出了根据本公开的传感器装置400的侧视截面图。

图5示出了根据本公开的传感器装置500的侧视截面图。

图6示出了根据本公开的传感器装置600的侧视截面图。

图7示出了根据本公开的传感器装置700的侧视截面图。

图8包含图8A至8E,其示意性地示出了用于制造根据本公开的传感器装置800的方法。

图9示出了根据本公开的用于制造传感器装置的方法的流程图。

具体实施方式

下面描述的附图示出了根据本发明的传感器装置和用于制造传感器装置的方法。在此,可以以一般方式呈现所描述的设备和方法,以便定性地描述本公开的方面。所描述的设备和方法可以具有其他方面,为了简单起见,在相应的附图中可能不会示出这些方面。然而,相应的示例可以以结合根据本公开的其他示例所描述的方面进行扩展。因此,针对特定附图的实施方案可以同样地适用于其他附图的示例。

在图1A的侧视截面图中,可以提供具有上主表面4和相对置的下主表面6的传感器芯片2。在上主表面4上可以布置有一个或多个MEMS结构8。此外,在上主表面4处,可以布置有传感器芯片2的电触点12和钝化层10。MEMS结构8可以被一个或多个沟槽14围绕。

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