[发明专利]一种3比特相位可调的微带反射单元

权利要求书

1.一种3比特相位可调的微带反射单元，其特征在于：包括第一介质基板(1)、第二介质基板(2)、第三介质基板(3)、金属地板(4)、印制在第一介质基板(1)上的结构单元(5)、用于接地和固定的金属螺丝钉(6)以及直流馈电结构(7)，所述结构单元(5)由印制在第一介质基板(1)正面的贴片(50)、印制在第一介质基板(1)正反两面的8段相同的相位延迟线(51)以及加载在贴片(50)和8段相位延迟线(51)之间的8个PIN二极管(52)构成；所述直流馈电结构(7)由印制在第一介质基板(1)上的8个第一焊盘(70)、加载在8个第一焊盘(70)和8段相位延迟线(51)之间的8个隔交电感(71)、印制在第三介质基板(3)反面的8个第二焊盘(72)以及连接8个第一焊盘(70)和8个第二焊盘(72)的8个被绝缘介质包裹的金属探针(73)构成；所述第一介质基板(1)的中心钻有用于接地和固定用的金属通孔(10)，四周钻有用于穿过8个被绝缘介质包裹的金属探针(73)的8个通孔(11)；所述第二介质基板(2)的中心钻有用于接地和固定用的通孔(20)，四周钻有用于穿过8个被绝缘介质包裹的金属探针(73)的8个通孔(21)；所述金属螺丝钉(6)与第一介质基板(1)的通孔(10)以及第二介质基板(2)的通孔(20)直径相同；所述金属地板(4)钻有用于穿过8个被绝缘介质包裹的金属探针(73)的8个通孔(41)，通孔直径略大于金属探针(73)直径。

2.根据权利要求1所述的3比特相位可调的微带反射单元，其特征在于：所述第一介质基板(1)的厚度为1mm，第二介质基板(2)的厚度为1mm，第三介质基板(3)的厚度为0.4mm。

3.根据权利要求1所述的3比特相位可调的微带反射单元，其特征在于：所述金属地板(4)的厚度为4mm。

4.根据权利要求1所述的3比特相位可调的微带反射单元，其特征在于：所述3比特相位可调的微带反射单元中第一介质基板(1)、第二介质基板(2)、第三介质基板(3)以及金属地板(4)均具有正方形的单元边界，且具有相同边长。

5.根据权利要求4所述的3比特相位可调的微带反射单元，其特征在于：所述边长31mm。

6.根据权利要求1所述的3比特相位可调的微带反射单元，其特征在于：所述贴片(50)为金属圆形的。

7.根据权利要求1所述的3比特相位可调的微带反射单元，其特征在于：所述被绝缘介质包裹的金属探针(73)的直径为0.64mm。

8.根据权利要求1所述的3比特相位可调的微带反射单元，其特征在于：所述第一介质基板(1)的通孔(10)以及第二介质基板(2)的通孔(20)直径相同，均为2.4mm。

9.根据权利要求1所述的3比特相位可调的微带反射单元，其特征在于：所述8段相同的相位延迟线(51)分布在金属圆形贴片(50)的四周，通过8个PIN二极管(52)控制金属圆形贴片(50)与不同位置处的相位延迟线(51)的通断，可以实现反射单元的反射相位可控调节，同一时间只有一个PIN二极管打开；所述的3比特相位可调的微带反射单元可以通过调节8段相同的相位延迟线(51)之间的角度控制反射相位的最小改变量。