[发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构

说明书

本发明实施例属于半导体结构作技术领域，具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。本发明实施例旨在解决相关技术中制作缝隙过程复杂的问题。制作方法具体包括：在基底上形成位线结构；每一位线背离基底的一侧具有绝缘块；在绝缘块背离基底的顶部形成遮挡部，遮挡部在基底的投影面积大于绝缘块在基底上的投影面积；在位线和绝缘块的侧壁上形成绝缘侧壁，遮挡部对应的绝缘侧壁内形成向基底延伸的缝隙。由于遮挡部在基底的投影面积大于位线结构在基底上的投影面积，在形成绝缘侧壁的过程中，遮挡部和基底之间的区域会提前封口，进而在遮挡部对应的绝缘侧壁内形成向基底延伸的缝隙，简化了制作过程，降低了制作难度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构作技术领域，尤其涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种较为常见的存储设备。动态随机存储器包括晶体管结构以及电容结构，晶体管结构中的晶体管与电容结构中的电容电连接，以通过晶体管读取电容内的数据、或者向电容内写入数据。

相关技术中，晶体管结构包括基底、以及设置在基底上的位线结构，位线结构包括平行且间隔设置的多个位线，位线之间形成有用于连接电容结构的金属插塞；为了避免金属插塞与位线之间形成电容，常在每一位线中垂直于基底的侧壁上形成绝缘侧壁，并且在绝缘侧壁内部形成缝隙。制作时，在位线的侧壁上依次形成第一绝缘侧壁、牺牲层以及第二绝缘侧壁，之后去除牺牲层，以使得第一绝缘侧壁和第二绝缘侧壁构成的绝缘侧壁内部形成缝隙。

然而，采用相关技术中的方法形成缝隙，制作过程复杂，制作难度大。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构制作方法及半导体结构，用以解决相关技术中制作缝隙过程复杂，制作难度大的技术问题。

本发明实施例提供一种半导体结构制作方法，所述制作方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成位线结构，所述位线结构包括多个平行且间隔设置的位线；每一所述位线背离所述基底的一侧具有绝缘块；

在所述绝缘块背离所述基底的顶部形成遮挡部，所述遮挡部在所述基底的投影面积大于所述绝缘块在所述基底上的投影面积；

在所述位线和所述绝缘块的侧壁上形成绝缘侧壁，所述遮挡部对应的所述绝缘侧壁内形成向所述基底延伸的缝隙。

在一种可实现方式中，在所述绝缘块背离所述基底的顶部形成遮挡部，所述遮挡部的在所述基底的投影面积大于所述绝缘块在所述基底的上的投影面积包括：

在所述绝缘块和所述位线的侧壁上形成牺牲侧壁，所述牺牲侧壁的高度大于所述绝缘块和所述位线的高度之和，所述绝缘侧壁背离所述基底的顶端具有牺牲块，所述牺牲块沿着远离所述基底的方向截面面积逐渐减小；

形成覆盖层，部分所述覆盖层填充在所述位线两侧的所述牺牲块之间，以形成所述遮挡部。

在一种可实现方式中，所述覆盖层覆盖所述牺牲块的顶部；

形成所述覆盖层之后还包括：对所述覆盖层进行减薄处理，以形成位于所述位线两侧的所述牺牲块之间的所述遮挡部。

在一种可实现方式中，在所述绝缘块和所述位线的侧壁上形成牺牲侧壁包括：

形成覆盖所述位线侧壁、相邻位线之间的基底以及所述绝缘块的侧壁和顶部的第一牺牲层；

去除位于所述绝缘块顶部的第一牺牲层，以形成所述牺牲侧壁。

在一种可实现方式中，蚀刻所述牺牲侧壁的顶部，以形成所述牺牲块。

在一种可实现方式中，所述牺牲块的顶面为曲面。