[发明专利]一种降低ITO薄膜红外吸收率的方法在审
| 申请号： | 202110290390.0 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113106405A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 程秀兰;李雅倩;王晓东;付学成;刘民;权雪玲 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 ito 薄膜 红外 吸收率 方法 | ||
1.一种降低ITO薄膜红外吸收率的方法，其特征在于，包括如下步骤：
基片清洗步骤：透明的浮法玻璃作为基底，使用丙酮在超声的环境下进行清洗；
ITO薄膜制备步骤：沉积ITO薄膜，设定靶材转速、溅射功率，经过设定时间得到ITO薄膜；
退火处理步骤：使用快速热处理炉对制备好的ITO薄膜进行快速热退火处理，退火后得到最终的ITO薄膜。
2.根据权利要求1所述的降低ITO薄膜红外吸收率的方法，其特征在于，采用Denton磁控溅射设备沉积ITO薄膜。
3.根据权利要求1所述的降低ITO薄膜红外吸收率的方法，其特征在于，ITO薄膜制备步骤中，靶材转速为3.6rpm，溅射功率为200W。
4.根据权利要求1所述的降低ITO薄膜红外吸收率的方法，其特征在于，ITO薄膜制备步骤中，经过583s得到300nm的ITO薄膜。
5.根据权利要求1所述的降低ITO薄膜红外吸收率的方法，其特征在于，还包括光学性能测试步骤：使用Lamda950紫外可见近红外分光光度计测试薄膜的吸收率、透射率、反射率，实验设置的测量范围是400-1800nm。
6.根据权利要求1所述的降低ITO薄膜红外吸收率的方法，其特征在于，还包括电学性能测试步骤：使用半导体参数测试仪对ITO薄膜进行I-V测试。
7.根据权利要求6所述的降低ITO薄膜红外吸收率的方法，其特征在于，所述半导体参数测试仪包括Aglient BA1500设备。
8.根据权利要求1所述的降低ITO薄膜红外吸收率的方法，其特征在于，快速热处理炉包括RTP-CT150M设备。
9.根据权利要求1所述的降低ITO薄膜红外吸收率的方法，其特征在于，退火处理步骤中，退火温度为300-500℃，退火时间为5分钟。
10.根据权利要求1所述的降低ITO薄膜红外吸收率的方法，其特征在于，退火处理步骤中，退火氛围为空气。
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