[发明专利]一种自校正MEMS电容式湿度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种自校正MEMS电容式湿度传感器的湿度检测校正方法，其特征在于，所述MEMS电容式湿度传感器包括依次堆叠的帕尔贴制冷器及湿度敏感电容，其中：

所述帕尔贴制冷器包括：

第一陶瓷基板；

第一电极阵列，所述第一电极阵列设置在所述第一陶瓷基板上；

热电偶阵列，所述热电偶阵列设置在所述第一电极阵列上；

第二电极阵列，所述第二电极阵列设置在所述热电偶阵列上；

第二陶瓷基板，所述第二陶瓷基板设置在所述第二电极阵列上；

所述湿度敏感电容包括：

第一湿度敏感电容电极，所述第一湿度敏感电容电极设置在所述第二陶瓷基板上；

湿度敏感材料层，所述湿度敏感材料层设置在所述第一湿度敏感电容电极上；

第二湿度敏感电容电极，所述第二湿度敏感电容电极设置在所述湿度敏感材料层上；

其中，所述校正方法包括以下步骤：

检测常温下所述电容式湿度传感器的第一电容输出值C₀；

加载控制电流使所述帕尔贴制冷器上方的湿度敏感电容降温，直至输出电容稳定，获得第二电容输出值C₁；

加载与所述控制电流反向的电流使所述帕尔贴制冷器上方的湿度敏感电容升温，直至输出电容稳定，获得第三电容输出值C₂；

根据C₀、C₁、C₂获得相对湿度。

2.根据权利要求1所述的自校正MEMS电容式湿度传感器的湿度检测校正方法，其特征在于，所述相对湿度根据 获得或者通过曲线拟合获得。

3.根据权利要求1所述的一种自校正MEMS电容式湿度传感器的湿度检测校正方法，其特征在于，所述热电偶阵列由P型掺杂的碲化铋材料和N型掺杂的碲化铋材料交替排列形成。

4.根据权利要求1或2所述的一种自校正MEMS电容式湿度传感器的湿度检测校正方法，其特征在于，所述湿度敏感材料层和/或所述第二湿度敏感电容电极包括多孔金属材料。

5.根据权利要求4所述的一种自校正MEMS电容式湿度传感器的湿度检测校正方法，其特征在于，所述多孔金属材料为氧化铝多孔薄膜或者金多孔薄膜。

6.根据权利要求1或2所述的一种自校正MEMS电容式湿度传感器的湿度检测校正方法，其特征在于，所述第一电极阵列的左右两侧的电极为所述帕尔贴制冷器的输入端或者输出端。