[发明专利]模具及其制备方法、转印方法在审
申请号: | 202110289194.1 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN113066948A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 朱友勤;李东;陈卓 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;B82Y40/00;B82Y10/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 魏艳新;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模具 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于转印量子点薄膜的模具,其特征在于,包括:
基底,所述基底的第一表面上设置有多个凹槽,所述凹槽用于容纳待转印的所述量子点薄膜,所述量子点薄膜由含有油溶性量子点材料的溶液固化后得到;
疏油层,包括第一部分,所述第一部分设置在所述基底的第一表面上,且位于所述凹槽外。
2.根据权利要求1所述的模具,其特征在于,所述凹槽中设置有间隔层,所述间隔层与所述量子点薄膜之间的粘附力小于所述基底与所述量子点薄膜之间的粘附力。
3.根据权利要求2所述的模具,其特征在于,所述疏油层还包括第二部分,所述第二部分位于所述凹槽中,且位于所述间隔层与所述凹槽的底壁之间。
4.根据权利要求2或3所述的模具,其特征在于,所述间隔层的材料包括聚二甲基硅氧烷,所述疏油层的材料包括聚四氟乙烯和纳米二氧化硅中的至少一者。
5.一种模具的制备方法,其特征在于,包括:
提供基底;
在所述基底的第一表面上形成多个凹槽,所述凹槽用于容纳待转印的量子点薄膜,所述量子点薄膜由含有油溶性量子点材料的溶液固化后得到;
形成疏油层,所述疏油层包括第一部分,所述第一部分位于所述基底的第一表面上,且位于所述凹槽外。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述疏油层还包括第二部分,所述第二部分位于所述凹槽中,在形成所述疏油层之后,所述制备方法还包括:
在所述第一部分远离所述基底的一侧形成牺牲层;
形成间隔材料层,所述间隔材料层与所述量子点薄膜之间的粘附力小于所述基底与所述量子点薄膜之间的粘附力,所述间隔材料层覆盖所述牺牲层和所述第二部分;
去除所述牺牲层,以去除覆盖所述牺牲层的所述间隔材料层。
7.一种转印方法,其特征在于,所述转印方法利用如权利要求1至4中任一项所述的模具进行转印,所述转印方法包括:
在所述凹槽中形成包含油溶性量子点材料的溶液;
对所述包含油溶性量子点材料的溶液进行固化以得到所述量子点薄膜;
将所述量子点薄膜转移至目标基板上。
8.根据权利要求7所述的转印方法,其特征在于,所述将所述量子点薄膜转移至目标基板上的步骤,包括:
在所述量子点薄膜上形成转移层,所述转移层与所述量子点薄膜之间的粘附力大于所述基底与所述量子点薄膜之间的粘附力;
将粘结有所述量子点薄膜的所述转移层转移至所述目标基板上,所述转移层位于所述量子点薄膜远离所述目标基板的一侧;
将所述量子点薄膜转移至所述目标基板上之后,所述转印方法还包括:
去除所述转移层。
9.根据权利要求8所述的转印方法,其特征在于,所述去除所述转移层的步骤,包括:将形成有所述量子点薄膜的所述目标基板放置在第一溶液中,所述第一溶液用于溶解所述转移层。
10.根据权利要求9所述的转印方法,其特征在于,所述第一溶液包括丙酮和乙醇中的至少一者,所述转移层包括与所述量子点薄膜粘结的转移部,所述转移部的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯。
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