[发明专利]一种微波铁氧体隔离器基板的制作方法

权利要求书

1.一种微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，包括：

磁控溅射镍铬铁合金靶材在铁氧体基片表面沉积形成打底层复合膜。

2.如权利要求1所述的微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，在磁控溅射镍铬铁合金靶材在铁氧体基片表面沉积形成打底层复合膜步骤之前，包括：

按照质量比Ni:Cr:Fe=67:21:12制作镍铬铁合金靶材；

以内圆切割的方式，将铁氧体胚胎切成相应厚度的铁氧体基片，然后通过金刚石磨料对铁氧体基片进行精密抛光加工，接着以纯水为介质进行水抛以及采用扫频式复频超声波清洗；

磁控溅射氮化钽靶材在铁氧体基片表面沉积隔离电阻氮化钽薄膜，形成方阻阻值为48-50Ω/sq的隔离电阻。

3.如权利要求2所述的微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，在磁控溅射氮化钽靶材在铁氧体基片表面沉积隔离电阻氮化钽薄膜的同时，包括：

在铁氧体基片的四个角落生成直径为0.5mm、真圆度达100%的氮化钽圆Pad作为定位，然后从铁氧体基片正面多次激光重复加工，形成直径为0.2mm，深度为0.4mm的通孔。

4.如权利要求2所述的微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，所述磁控溅射氮化钽靶材在铁氧体基片表面沉积隔离电阻氮化钽薄膜中的磁控溅射工艺参数为：N₂:Ar=2:50，溅射功率300W，溅射时间15min，得到方阻阻值为48-50Ω/sq的隔离电阻。

5.如权利要求1所述的微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，磁控溅射镍铬铁合金靶材在铁氧体基片表面沉积形成复合膜的磁控溅射工艺参数为：在6.0×10^-4Pa真空度下，将铁氧体基片预热至180℃，氩气流量控制35SCCM，靶材溅射功率控制300W。

6.如权利要求1所述的微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，在磁控溅射镍铬铁合金靶材在铁氧体基片表面沉积形成打底层复合膜步骤之后，包括：

磁控溅射铜靶材，在铁氧体基片的打底层复合膜上形成一层铜膜，然后对铁氧体基片进行电镀铜，以使所述铜膜加厚到隔离器基板所需厚度。

7.如权利要求6所述的微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，磁控溅射铜靶材，在铁氧体基片的打底层复合膜上形成一层铜膜，然后对铁氧体基片进行电镀铜，以使所述铜膜加厚到隔离器基板所需厚度之后，包括：

图形转移，酸性蚀刻，电镀厚金制作，成型制作。

8.如权利要求7所述的微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，

所述图形转移包括：对铜膜加厚到所需厚度的铁氧体基片进行光刻图形转移，通过静态滴胶、高速旋转分散的方式，调节光刻胶的滴胶量和转速，对图形做动态蚀刻补偿设计。

9.如权利要求8所述的微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，

所述酸性蚀刻包括：采用湿法蚀刻工艺，利用化学腐蚀的方式将未做光刻胶保护的区域进行真空蚀刻，刻蚀铜层的同时将打底层的复合膜腐蚀掉。

10.如权利要求9所述的微波铁氧体隔离器基板的制作方法，其特征在于，所述电镀厚金制作包括：刻蚀线路后利用线路之间设计的引线制作导通的网格，将线路五面金包边，然后再以激光蚀刻的方式去除镀金引线。