[发明专利]单RAM多模块数据的缓存方法在审

专利信息
申请号: 202110288714.7 申请日: 2021-03-18
公开(公告)号: CN113076061A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 何磊 申请(专利权)人: 四川和芯微电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/0871;G06F1/3234
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: ram 模块 数据 缓存 方法
【说明书】:

发明公开了一种单RAM多模块数据的缓存方法,其包括如下步骤:a.确定缓存于RAM内的模块数据的数量N,并根据USB内的数据传输速度M与实际系统时钟L,确定RAM内数据传输所需的位宽A;b.将N个模块数据分别按优先级别加上ACK反馈标识,每个所述ACK反馈标识均包含有优先级别信息;c.将加上ACK反馈标识的N个模块数据分别缓存至RAM内;d.按照优先级别依次对RAM内的N个模块数据进行读/写。本发明的单RAM多模块数据的缓存方法实现了单个RAM对多模块数据的缓存,减小了RAM所占用的芯片面积,相应减少了芯片的功耗,延长了芯片的使用寿命。

技术领域

本发明涉及数字IC设计领域,更具体地涉及一种单RAM多模块数据的缓存方法。

背景技术

常见的USB内部缓存数据通常使用RAM存储;而因为USB内部存储的多个模块需要缓存数据,现在一般的方式是一个数据模块缓存于一个RAM上,所以常见的USB内部使用多RAM分别缓存多模块数据的方式。

使用多个RAM缓存多模块数据虽然能够较为灵活的管理多模块数据,但这种多个RAM的形式同时也会占用更多的芯片面积,不利于芯片的小型化、高度集成化的发展;另外,多个RAM的形式还会相应增加芯片的功耗,影响RAM的使用寿命。例如,在130nm工艺下,使用一个较大的RAM来缓存四个节点的数据和相同情况下使用四片RAM分别缓存USB内四个节点的数据能够节省芯片大约20%的面积,同时功耗也大大减小了。但是现有的单RAM不能够同时读取多地址的数据,因此使得对数据的读取效率大打折扣,同时在读取过程中还容易出错。

因此,有必要提供一种能快速而准确地对单个RAM内的多模块数据进行读/取的改进的单RAM多模块数据的缓存方法来克服上述缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种单RAM多模块数据的缓存方法,本发明的单RAM多模块数据的缓存方法实现了单个RAM对多模块数据的缓存,减小了RAM所占用的芯片面积,相应减少了芯片的功耗,延长了芯片的使用寿命。

为实现上述目的,本发明提供了一种单RAM多模块数据的缓存方法,其包括如下步骤:

a.确定缓存于RAM内的模块数据的数量N,并根据USB内的数据传输速度M与实际系统时钟L,确定RAM内数据传输所需的位宽A;

b.将N个模块数据分别按优先级别加上ACK反馈标识,每个所述ACK反馈标识均包含有优先级别信息;

c.将加上ACK反馈标识的N个模块数据分别缓存至RAM内;

d.按照优先级别依次对RAM内的N个模块数据进行读/写。

较佳地,在所述步骤a中确定RAM内数据传输所需的位宽A具体为:其中,USB内的数据传输速度M与实际系统时钟L均为常数。

较佳地,在所述步骤b中,所述ACK反馈标识上的优先级别分别从0级至N-1级,且0级的优先级高于N-1级的优先级。

较佳地,在所述步骤d中,进行数据读/写时,将第一个时钟输入给优先级为0的模块数据,再依次将其它N-1个时针输入给其它N-1个模块数据。

较佳地,所述N的取值范围为1-16,相应地所述位宽A的取值范围为24-216

较佳地,将数据连续读/写的模块数据的优先级别设置为最低优先级。

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