[发明专利]一种单晶BaTiO3 在审
| 申请号： | 202110288424.2 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113186593A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杨森;周超;于忠海;张垠 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 batio base sub | ||
1.一种单晶BaTiO3的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S100、将BaTiO3和TiO2粉末一次研磨后预烧，二次研磨、造粒得到粒料；
S200、将所述粒料压片成型、烧结成料棒；
S300、将所述料棒采用光浮区单晶法生长得到样品；
S400、将所述样品二次烧结。
2.如权利要求1所述的方法，其中，优选的，步骤S100中一次研磨时间为5-8h，预烧温度为1200-1400℃，预烧时间为6-8h。
3.如权利要求1所述的方法，其中，步骤S100中二次研磨时间为8-10h。
4.如权利要求1所述的方法，其中，步骤S200中压片成型包括将粒料放入料柱袋中压紧实然后将所述料柱袋放入水介质液压管中在15-20Mpa压力下压2-5mins得到料棒。
5.如权利要求4所述的方法，其中，将所述料棒放置在马弗炉中设置温度为1450-1500℃烧结6-10h。
6.如权利要求1所述的方法，其中，步骤S300中将所述料棒在光浮区单晶炉中进行单晶生长，生长条件为功率设置为55-57W，相对转速20-30r/min，生长速率选用2-5mm/h得到单晶样品。
7.如权利要求1所述的方法，其中，步骤S400二次烧结的温度为1600-1650℃，烧结时间为8-10h。
8.一种如权利要求1所述的方法制备的单晶BaTiO3在压电器件中的应用，所述压电器件包括以下任一：压电超声马达，压电变压器，压电换能器。
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