[发明专利]一种高纯铝或铝合金靶材及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种用于液晶领域高纯铝或铝合金靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)通过切断得到尺寸为(290～295mm)×(245～250mm)×(245～250mm)的铝或铝合金靶材坯料；将得到的铝或铝合金靶材坯料在140～160℃的温度下预热10～15min，然后进行锻伸，锻伸后的铝或铝合金靶材坯料的尺寸为(198～202mm)×(298～302mm)×(298～302mm)；

(2)在345～355℃的条件下进行一次热处理，时间为58～62min；

(3)在140～160℃的温度下预热10～15min，然后进行锻造，锻造后的铝或铝合金靶材坯料的尺寸为(765～770mm)×(188～192mm)×(120～125mm)；

(4)在290～310℃的条件下进行二次热处理，时间为58～62min；

(5)进行至少3次的轧制，轧制后整平，所述整平后的弯曲度不大于1mm；

(6)在245～255℃的条件下进行三次热处理，时间为13～17min，得到高纯铝或铝合金靶材。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述轧制后的温度为室温。

3.一种如权利要求1或2所述的制备方法制备得到的高纯铝或铝合金靶材，其特征在于，所述高纯铝或铝合金靶材的纯度为5N～5N5。

4.根据权利要求3所述的高纯铝或铝合金靶材，其特征在于，所述高纯铝或铝合金靶材的最大晶粒尺寸不超过200μm。