[发明专利]多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉有效

专利信息
申请号: 202110286578.8 申请日: 2021-03-17
公开(公告)号: CN112960674B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 石何武;汪绍芬;石涛;杨永亮;严大洲 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 杜德海
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 多晶 还原 底盘 组件 以及
【说明书】:

发明公开多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉,包括盘体,所述盘体具有多个进气口组和多个还原尾气出口组;和多个电极基座组,多个所述电极基座组沿所述盘体的径向间隔开地设在所述盘体上,每个所述电极基座组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个电极基座,其中多个所述电极基座组和多个所述进气口组沿所述盘体的径向交替设置,一个所述还原尾气出口组位于多个所述电极基座组的外侧,其余的每个所述还原尾气出口组在所述盘体的径向上位于相邻两个所述电极基座组之间。通过进气口组和还原尾气出口组的设置,使得多晶硅还原炉内的温度场均匀,从而不仅可以有利于硅棒的沉积,从而改善硅棒的表面质量。

技术领域

本发明涉及多晶硅生产领域,具体涉及多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉。

背景技术

多晶硅是太阳能电池和集成电路的基础原材料,随着近年来光伏产业的迅速发展以及集成电路的需求激增,多晶硅作为其原材料在近年的需求急剧增加,目前,作为多晶硅生产的关键装备还原炉,存在转化率底下,产品外观质量较差、产品能耗高等问题。

相关技术中,对60对棒还原炉内的复杂生长并没有完全掌握清楚,运行中出现倒炉、缺相等异常情况,从而导致原炉装备存在着单炉产能有限,一次转化率不高,产品硅棒外观质量菜花料比例大,单位产品多晶硅的能耗高等问题。如:CN2072108464.4多晶硅还原炉,公开了48对多晶硅还原炉的内部结构,但是在实际生产中,从48对棒还原炉到60对棒还原炉跨跃过大,前期启炉困难,还原炉很难正常运行,单炉产品重量与生产能耗与预期相差较大。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此,本发明的实施例提出一种多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉。

根据本发明实施例的一种用于多晶硅还原炉的底盘,包括:盘体,所述盘体具有多个进气口组和多个还原尾气出口组,每个所述进气口组包括至少一个进气口,每个所述还原尾气出口组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个所述还原尾气出口,其中多个所述进气口组沿所述盘体的径向间隔开地设置,多个所述还原尾气出口组沿所述盘体的径向间隔开地设置;和多个电极基座组,多个所述电极基座组沿所述盘体的径向间隔开地设在所述盘体上,每个所述电极基座组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个电极基座,其中多个所述电极基座组和多个所述进气口组沿所述盘体的径向交替设置,一个所述还原尾气出口组位于多个所述电极基座组的外侧,其余的每个所述还原尾气出口组在所述盘体的径向上位于相邻两个所述电极基座组之间。

根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘,可以使多个硅棒均匀生长、大幅提升硅棒的外观质量、提高硅棒的生长稳定性、降低能耗。

在一些实施例中,所述盘体还具有中心进气口,所述中心进气口位于最内侧的所述电极基座组的内侧,可选地,最外侧的所述电极基座组位于最外层的所述进气口组的外侧,最内侧的所述电极基座组位于最内侧的所述进气口组的内侧。

在一些实施例中,一个所述进气口组和一个所述尾气出口组位于第一圆周上,所述第一圆周上的所述进气口组的多个所述进气口和所述还尾气出口组的多个所述还原尾气出口在所述第一圆周上交替设置,所述第一圆周的周向与所述底盘的周向一致。

在一些实施例中,所述第一圆周上的多个所述进气口和多个所述还原尾气出口构成多个进气出气组,多个所述进气出气组在所述底盘的径向上两两相对,每个所述进气出气组包括两个所述进气口和一个所述还原尾气出口,每个所述进气出气组的所述还原尾气出口在所述第一圆周的周向上位于相应的所述进气出气组的两个所述进气口之间;可选地,位于所述电极基座组的外侧的所述还原尾气出口组的多个所述还原尾气出口在底盘的径向上两两相对。

在一些实施例中,每个所述电极基座组的多个所述电极基座在所述底盘的周向上等间距地设置,每个所述电极基座组的相邻两个所述电极基座在所述底盘的周向上的间距为210mm-240mm。

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