[发明专利]一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置

权利要求书

1.一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，包括侧壁和顶盖，所述顶盖盖合于所述侧壁的顶部，所述侧壁与所述顶盖围成燃烧腔，所述顶盖设置有与所述燃烧腔连通的废气入口，所述侧壁的底部设置有与所述燃烧腔连通的废气出口，所述侧壁的内部形成有夹层空腔，所述侧壁内表面的上部设置有连通所述夹层空腔与所述燃烧腔的出水口，所述侧壁的外表面设置有与所述夹层空腔连通的进水口；

所述出水口呈环形分布于所述侧壁的内表面，以使通过所述出水口流出的水可沿所述侧壁的内表面向下流动；

所述顶盖的下表面设置有环形挡板，所述环形挡板与所述侧壁之间形成环形间隙。

2.根据权利要求1所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述废气入口设置有与所述废气入口连通的氮气吹扫入口。

3.根据权利要求2所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述氮气吹扫入口的压力为0.4-0.5MPa。

4.根据权利要求1所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述环形间隙的宽度为5-10mm。

5.根据权利要求1所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述环形挡板的高度为30-60mm。

6.根据权利要求5所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述进水口设置于所述侧壁的外表面的下部，所述进水口设置有多个。

7.根据权利要求5所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述侧壁与所述顶盖通过螺栓连接。

8.根据权利要求7所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述废气出口的边沿设置有法兰。