[发明专利]存储单元及其制造方法

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于，包括：

垂直晶体管，部分设置于基底中，所述垂直晶体管从下到上设置有源极、栅极、漏极，所述栅极连接字线，所述源极连接位线；

存储接触结构，包括：

埋入部，位于第一槽中，所述第一槽的侧面被隔离结构包裹，所述埋入部的下表面连接所述垂直晶体管的漏极；

凸出部，位于所述埋入部之上并与所述埋入部的上表面连接，所述凸出部为柱状结构；

存储电容，具有下极板、介质层、上极板，所述下极板贴附所述凸出部，所述介质层贴附所述下极板，所述上极板贴附所述介质层；

其中，所述隔离结构的一部分环绕所述垂直晶体管的漏极和所述存储接触结构的所述埋入部，所述隔离结构的另一部分设置在相邻两条所述字线之间；

在所述存储接触结构中，所述埋入部的上表面大于下表面，所述凸出部的上表面、下表面均与所述埋入部的上表面相等；和/或，所述埋入部与所述凸出部均由掺杂半导体构成，所述埋入部的掺杂粒子种类与所述凸出部的掺杂粒子种类不完全相同，所述埋入部的掺杂浓度与所述凸出部的掺杂浓度不完全相同。

2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述隔离结构包括多个子结构，所述多个子结构的材料不完全相同。

3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述隔离结构包括：

第一子结构，具有顺次连接的上部、中部与下部，所述上部连接所述存储电容的所述下极板和所述介质层，且向下延伸至相邻两条所述字线之间，所述中部环绕所述第一槽的侧表面，所述下部连接所述垂直晶体管的漏极以及所述字线；

第二子结构，连接所述第一子结构的所述上部、所述中部、所述下部以及所述字线。

4.如权利要求3所述存储单元，其特征在于，所述第一子结构的材料包括氮化硅，所述第二子结构的材料包括二氧化硅。

5.如权利要求3所述存储单元，其特征在于，所述第二子结构包括：

内层结构，连接所述第一子结构的中部和下部；

外层结构，设置于所述内层结构和所述第一子结构之间，连接所述第一子结构的上部、中部和所述字线的侧部；

所述外层结构与所述内层结构的制造工艺不同。

6.一种存储单元制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1~5任一项所述的存储单元，包括：

提供基底，以所述基底为基础制造垂直晶体管以及位于所述垂直晶体管上和相邻两条位线之间的隔离结构，所述垂直晶体管从下到上设置有源极、栅极、漏极，所述栅极连接字线，所述源极连接所述位线；

在所述隔离结构中与所述垂直晶体管相对的位置制造第一槽，所述第一槽的下表面露出所述垂直晶体管的漏极；

顺次在所述第一槽中和所述第一槽的上表面沉积导电层，所述导电层的上表面距离所述第一槽的上表面具有第一高度；

对所述导电层中与所述第一槽不相对的位置蚀刻深度为所述第一高度的第二槽，以形成包括埋入部和凸出部的存储接触结构，所述埋入部位于所述第一槽中，所述凸出部位于所述埋入部上；

在所述凸出部的外表面顺次形成存储电容的下极板、介质层和上极板。

7.如权利要求6所述的存储单元制造方法，其特征在于，所述以所述基底为基础制造垂直晶体管以及位于所述垂直晶体管上和相邻两条位线之间的隔离结构包括：

在所述基底中制造埋入式位线；

在所述埋入式位线上方形成垂直于所述基底的表面的导电沟道，所述导电沟道的下部连接所述埋入式位线且位于所述基底中；

环绕所述导电沟道的中部从内向外顺次形成栅氧化物层、金属栅极层以及字线结构，所述字线结构由相邻两条字线构成；

在所述字线结构和所述导电沟道的上部形成初级隔离结构；

蚀刻所述初级隔离结构中与所述字线结构的中点相对的位置以及所述字线结构以形成字线隔离槽；

在所述字线隔离槽中以及所述初级隔离结构的顶层填充绝缘材料以形成所述隔离结构。