[发明专利]通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件在审
| 申请号： | 202110284739.X | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113053807A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 林豫立 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 250000 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 制备 方法 半导体器件 | ||
1.一种通孔结构的制备方法，其特征在于，包括：
在介电层上开孔，并露出下方的停止层，以形成贯穿所述介电层的第一导电通孔；
在位于所述第一导电通孔内的停止层上开孔，并露出下方的第一导电层，以形成贯穿所述停止层的第二导电通孔；
其中，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔连通，且所述第二导电通孔的线宽大于相邻的所述第一导电通孔的线宽。
2.根据权利要求1所述的通孔结构的制备方法，其特征在于，在介电层上开孔，并露出下方的停止层的步骤，包括：
对所述介电层进行刻蚀，并露出下方的所述停止层。
3.根据权利要求1所述的通孔结构的制备方法，其特征在于，在位于所述第一导电通孔内的停止层上开孔，并露出下方的第一导电层的步骤，包括：
对位于所述第一导电通孔内的停止层进行侧向刻蚀，并露出下方的第一导电层。
4.根据权利要求1所述的通孔结构的制备方法，其特征在于，在位于所述第一导电通孔内的停止层上开孔，并露出下方的第一导电层的步骤之后，所述制备方法还包括：
利用导电材料依次填充所述第二导电通孔和所述第一导电通孔，并形成导电柱；
在所述介电层上形成第二导电层；
其中，所述导电柱与所述第一导电层电接触，所述第二导电层与所述导电柱电接触。
5.根据权利要求4所述的通孔结构的制备方法，其特征在于，在所述介电层上形成第二导电层的步骤，包括：
在所述介电层上溅射金属，以形成所述第二导电层。
6.根据权利要求4所述的通孔结构的制备方法，其特征在于，利用导电材料填充所述第一导电通孔和所述第二导电通孔的步骤，包括：
利用金属材料依次填充所述第二导电通孔和所述第一导电通孔，并形成导电柱。
7.根据权利要求1所述的通孔结构的制备方法，其特征在于，所述第一导电层为金属层。
8.一种通孔结构，其特征在于，包括：
第一导电层；
形成在所述第一导电层上的停止层；
形成在所述停止层上的介电层；
其中，所述介电层上形成有第一导电通孔，所述停止层上形成有第二导电通孔，所述第一导电通孔与所述第二导电通孔连通，且所述第二导电通孔的线宽大于相邻的所述第一导电通孔的线宽。
9.根据权利要求8所述的通孔结构，其特征在于，所述通孔结构还包括形成在所述介电层上的第二导电层，所述第二导电通孔和所述第一导电通孔中均填充有导电材料，以形成导电柱，所述导电柱与所述第一导电层电接触，所述第二导电层与所述导电柱电接触。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的通孔结构。
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