[发明专利]半导体结构的轮廓的判断方法

权利要求书

1.一种半导体结构的轮廓的判断方法，其特征在于，用于判断包括半导体结构的底部轮廓，包括：

获取电子束的最佳倾斜角度；

使用所述电子束以所述最佳倾斜角度照射所述半导体结构的侧壁，以得到所述半导体结构的侧壁在垂直于所述电子束入射方向的平面内的正投影的量测宽度；

基于所述量测宽度判断所述半导体结构的底部是否存在颈缩；

所述获取电子束的最佳倾斜角度，包括：

制备多个测试半导体结构，多个所述测试半导体结构分别于不同工艺条件下制备而得到；

将多个所述测试半导体结构进行切片量测，以得到包括多个所述测试半导体结构的切片量测数据的切片量测数据组；

使用所述电子束分别以多个倾斜角度照射不同工艺条件下所述测试半导体结构的侧壁，以得到包括各所述测试半导体结构的侧壁在垂直于多个倾斜角度的所述电子束入射方向的平面内的正投影的角度量测数据的角度量测数据组；

将所述角度量测数据组与所述切片量测数据组进行比对，选择与所述切片量测数据变化规律相同的所述角度量测数据对应的倾斜角度；

若选择的倾斜角度的数量为1个，则判定选择的倾斜角度为最佳倾斜角度；若选择的倾斜角度的数量大于1个，则使用所述电子束分别以选择的各所述倾斜角度多次照射同一所述测试半导体结构的侧壁，以得到所述测试半导体结构的侧壁在垂直于选择的各所述倾斜角度的所述电子束入射方向的平面内的正投影的多组量测数据组，选择集中度最好的所述量测数据组对应的倾斜角度为最佳倾斜角度；

多个所述测试半导体结构中至少有一个所述测试半导体结构的底部未发生颈缩，获取所述最佳倾斜角度后，还包括基于在先量测数据，将所述电子束以所述最佳倾斜角度照射底部未发生颈缩的测试半导体结构的侧壁后得到的所述测试半导体结构的侧壁在垂直于所述电子束入射方向的平面内的正投影的角度量测数据设定为目标量测宽度；所述基于所述量测宽度判断所述半导体结构的底部是否存在颈缩，包括：

将所述量测宽度与所述目标量测宽度进行比对，若所述量测宽度小于所述目标量测宽度则判定所述半导体结构的底部存在颈缩；

其中，所述半导体结构包括位线接触结构及位线，所述位线位于所述位线接触结构的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的轮廓的判断方法，其特征在于，所述使用所述电子束以所述最佳倾斜角度照射所述半导体结构的侧壁，以得到所述半导体结构的侧壁在垂直于所述电子束入射方向的平面内的正投影的量测宽度，包括：

获取所述最佳倾斜角度下所述半导体结构在垂直于所述电子束入射方向的平面内的正投影；

量测所述正投影，以获得所述最佳倾斜角度下的量测宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的轮廓的判断方法，其特征在于，所述最佳倾斜角度为大于0°且小于或等于30°。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的轮廓的判断方法，其特征在于，所述位线接触结构为掺杂多晶硅层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的轮廓的判断方法，其特征在于，所述位线包括金属层和绝缘层，所述绝缘层位于所述金属层的上表面。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的轮廓的判断方法，其特征在于，所述位线还包括本征多晶硅层，所述本征多晶硅层位于所述金属层和衬底之间，且位于相邻所述位线接触结构之间。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的轮廓的判断方法，其特征在于，所述基于所述量测宽度判断所述半导体结构的底部是否存在颈缩的步骤之后，还包括：

对判断结果进行验证。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的轮廓的判断方法，其特征在于，所述对判断结果进行验证，包括：

将所述半导体结构进行切片量测，以得到所述半导体结构底部的切片量测宽度；

基于所述最佳倾斜角度下得到的所述量测宽度与所述切片量测宽度的相关度判断所述判断结果是否可靠。