[发明专利]量子点器件和电子设备

说明书

公开了量子点器件和电子设备，所述量子点器件包括：第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层，其中所述电子辅助层包括无机纳米颗粒和添加剂的混合物，所述无机纳米颗粒包括碱土金属，所述添加剂选自碱金属、碱金属化合物、或其组合，所述电子设备包括所述量子点器件。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年3月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0032720和于2021年3月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0032660的优先权和权益，将其全部内容通过引用引入本文中。

技术领域

公开了量子点器件和电子设备。

背景技术

也称作量子点的半导体纳米晶体被供以光能或电能并且可配置成发射与量子点的尺寸对应的波长的光。因此，量子点可用作配置成发射特定波长的光的光发射体。

发明内容

近来，正在进行关于使用量子点作为光发射体的量子点器件的研究。然而，量子点不同于常规的光发射体，且因此需要改善所述量子点器件的性能的新方法。

一种实施方式提供能够实现改善的性能的量子点器件。

另一实施方式提供包括所述量子点器件的电子设备。

根据一种实施方式，量子点器件包括：第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层，其中所述电子辅助层包括无机纳米颗粒、以及碱金属、碱金属化合物(例如碱金属盐)、或其组合，所述无机纳米颗粒包括碱土金属。

所述量子点层可不包括镉。

所述电子辅助层的功函可比所述无机纳米颗粒的功函浅。

所述电子辅助层的功函可比所述无机纳米颗粒的功函浅约0.01eV至约0.7eV。

随着总的碱金属(全部碱金属)的含量增加，所述电子辅助层的功函可变得越浅。

所述碱金属可包括锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铯(Cs)、铷(Rb)、钫(Fr)、或其组合。

所述碱土金属可包括铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)、镭(Ra)、或其组合。

可以所述电子辅助层中的原子的总数的小于约0.5原子％、小于或等于约0.45原子％、小于或等于约0.40原子％、小于或等于约0.35原子％、小于或等于约0.30原子％、小于或等于约0.25原子％、或者小于或等于约0.20原子％的量包括总的碱金属。

可以相对于所述电子辅助层中的原子的总数的约0.01原子％至约0.2原子％的量包括总的碱金属。

所述电子辅助层可包括碳酸根(CO₃^2-)。

所述无机纳米颗粒可为金属氧化物纳米颗粒，并且基于所述金属氧化物纳米颗粒中包括的金属原子的总数，可以约0.01原子％至约30原子％包括所述碱土金属。

所述无机纳米颗粒可为包括所述碱土金属和锌的金属氧化物纳米颗粒。

如通过X射线光电子能谱法测量的，所述碱土金属的摩尔分数可大于所述电子辅助层中的总的碱金属的摩尔分数。