[发明专利]一种电压暂降治理装置在审
| 申请号： | 202110283556.6 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113054666A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 于程玲 | 申请（专利权）人： | 武汉本征电气有限公司;上海电气电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/12 | 分类号： | H02J3/12;H02J3/16;H02J7/34;H05K7/20;H02M1/14;H02M1/32;H02M1/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电压 治理 装置 | ||
1.一种电压暂降治理装置，所述装置由电子开关与旁路电路(1)、开关电源充电电路(2)、储能稳压电路(3)、逆变及软起电路(4)组成。所述电子开关与旁路电路(1)串联在单相线路中的L相线路中。所述开关电源充电电路(2)的输入端连接源侧L、N相线路，其输出端子接入到所述储能稳压电路(3)。所述储能稳压电路(3)的输出端子连接所述逆变及软起电路(4)的输入端子。所述逆变及软起电路(4)的输出端子接入负荷侧L、N相线路。
2.电子开关与旁路电路(1)采用机械旁路开关(1b)与电子开关(1a)并联的方式，所述电子开关与旁路电路(1)中的电子开关(1a)可由晶闸管半控器件构杨或者由绝缘栅双极型晶体管IGBT、金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET全控器件构成，与机械旁路开关(1b)并联后串接在L相线路中。
3.开关电源充电电路(2)主要由开关电源电路构成，电路中设计有隔离输入与输出高频变压器，体积小、效率高，工作在恒流限压模式下。
4.储能稳压电路(3)由储能器件(3a)和Boost电路构成，在储能器件电压波动时可稳定提供所述逆变及软起电路(4)所正常工作时需要的电压。
5.逆变及软起电路(4)由直流支撑电容(4a)、H桥逆变电路(4b)、连接电感(4c)、软起电路(4d)组成。所述直流支撑电容(4a)用于支持吸收逆变器产生的纹波电流并提供Vdc电压支撑。装置检测Vdc电压、Idc电流以及启动信号，以决定所述H桥逆变电路(4b)是否满足运行条件，所述连接电感(4c)用于装置并网及减小输出纹波，所述软起电路(4d)在装置初次上电时用于减小电流对所述H桥逆变电路(4b)的冲击。
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