[发明专利]一种钙钛矿薄膜的制备方法及钙钛矿LED在审

专利信息
申请号: 202110283316.6 申请日: 2021-03-16
公开(公告)号: CN113066947A 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 陈丹;刘陶然;左玉华;郑军;刘智;成步文 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 钙钛矿 薄膜 制备 方法 led
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括:

S1,将(1-溴乙基)苯、溴化铯、溴化铅、溴化锶溶解于有机溶剂中,形成前驱体溶液;

S2,将所述前驱体溶液旋涂在基底上,退火加热,得到所述钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述S1中(1-溴乙基)苯、溴化铯、溴化铅、溴化锶的摩尔比为1∶1∶A∶B,其中,0<A≤1.52,0<B≤1.52。

3.根据权利要求2所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述S2具体包括:

将所述前驱体溶液静态旋涂在基底上;

使所述基底加速旋转;

在所述基底旋转过程中,将反溶剂动态滴涂在所述钙钛矿上。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述S1中的有机溶剂包括二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺或其两者的混合物。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述S2中退火加热的温度范围为80~120℃,时间范围为20~40min。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述S2中钙钛矿薄膜的厚度范围为40~150nm。

7.一种钙钛矿LED,其特征在于,依次包括:

ITO导电层;

空穴注入层;

钙钛矿发光层,其包括如权利要求1~6任意一项所述的钙钛矿薄膜的制备方法得到的钙钛矿薄膜;

电子注入层;

对电极层。

8.根据权利要求7所述的钙钛矿LED,其特征在于,所述空穴注入层由PEDOT:PSS混合溶液旋涂制备而成,其中PEDOT:PSS为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸酯)。

9.根据权利要求8所述的钙钛矿LED,其特征在于,所述电子注入层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯蒸镀制成,其厚度为40~50nm。

10.根据权利要求9所述的钙钛矿LED,其特征在于,所述对电极层由A1蒸镀制成,其厚度为80~100nm。

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