[发明专利]一种钙钛矿薄膜的制备方法及钙钛矿LED在审
申请号: | 202110283316.6 | 申请日: | 2021-03-16 |
公开(公告)号: | CN113066947A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 陈丹;刘陶然;左玉华;郑军;刘智;成步文 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 薄膜 制备 方法 led | ||
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括:
S1,将(1-溴乙基)苯、溴化铯、溴化铅、溴化锶溶解于有机溶剂中,形成前驱体溶液;
S2,将所述前驱体溶液旋涂在基底上,退火加热,得到所述钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述S1中(1-溴乙基)苯、溴化铯、溴化铅、溴化锶的摩尔比为1∶1∶A∶B,其中,0<A≤1.52,0<B≤1.52。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述S2具体包括:
将所述前驱体溶液静态旋涂在基底上;
使所述基底加速旋转;
在所述基底旋转过程中,将反溶剂动态滴涂在所述钙钛矿上。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述S1中的有机溶剂包括二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺或其两者的混合物。
5.根据权利要求4所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述S2中退火加热的温度范围为80~120℃,时间范围为20~40min。
6.根据权利要求5所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述S2中钙钛矿薄膜的厚度范围为40~150nm。
7.一种钙钛矿LED,其特征在于,依次包括:
ITO导电层;
空穴注入层;
钙钛矿发光层,其包括如权利要求1~6任意一项所述的钙钛矿薄膜的制备方法得到的钙钛矿薄膜;
电子注入层;
对电极层。
8.根据权利要求7所述的钙钛矿LED,其特征在于,所述空穴注入层由PEDOT:PSS混合溶液旋涂制备而成,其中PEDOT:PSS为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸酯)。
9.根据权利要求8所述的钙钛矿LED,其特征在于,所述电子注入层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯蒸镀制成,其厚度为40~50nm。
10.根据权利要求9所述的钙钛矿LED,其特征在于,所述对电极层由A1蒸镀制成,其厚度为80~100nm。
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