[发明专利]快速寻找最佳合金氧化物忆阻材料的方法在审
申请号: | 202110282895.2 | 申请日: | 2021-03-16 |
公开(公告)号: | CN113054103A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 程传同;李刘杰;陈弘达;黄北举 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L21/66 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 黄晓明 |
地址: | 215000 江苏省苏州市相*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 寻找 最佳 合金 氧化物 材料 方法 | ||
1.一种快速确定最佳合金氧化物忆阻材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:在绝缘衬底的一表面上形成一层沿预定方向厚度逐渐增大的第一金属层;
步骤2:在所述第一金属催化剂层的表面上形成一层沿所述预定方向厚度逐渐减小的第二金属层;
步骤3:退火处理,使第一金属层和第二金属层融合形成合金层,并使得在所述合金层中第一金属原子和第二金属原子的比值沿所述预定方向逐渐增大;
步骤4:氧化处理,在所述合金层的表面上形成合金氧化物层;
步骤5:沿所述预定方向上以不同位置处的合金氧化物层作为功能层来制作多个忆阻器;
步骤6:测试对比各个忆阻器的性能,根据性能最佳的忆阻器所对应的合金氧化物层中的金属元素配比来确定最佳金属元素配比的合金氧化物忆阻材料。
2.根据权利要求1所述的快速确定最佳合金氧化物忆阻材料的方法,其特征在于,所述第一金属和第二金属选自钨、钛、铪、铝、钽、镍中的任意两种。
3.根据权利要求1所述的快速确定最佳合金氧化物忆阻材料的方法,其特征在于,所述第一金属层和/或第二金属层通过磁控溅射的方式沉积形成。
4.根据权利要求1所述的快速确定最佳合金氧化物忆阻材料的方法,其特征在于,所述绝缘衬底为氧化硅片。
5.根据权利要求1所述的快速确定最佳合金氧化物忆阻材料的方法,其特征在于,所述步骤4中的氧化处理的具体方式为:
将所述合金层置于空气或氧气氛围下加热氧化。
6.根据权利要求1所述的快速确定最佳合金氧化物忆阻材料的方法,其特征在于,所述步骤5中制作忆阻器的具体方式为:
在所述合金氧化物层的上表面沿所述预定方向制作顶电极阵列,以形成多个沿所述预定方向阵列排布的忆阻器。
7.根据权利要求6所述的快速确定最佳合金氧化物忆阻材料的方法,其特征在于,所述顶电极包括电极层和形成于所述电极层一面上的联接层,所述顶电极通过所述联接层联接于所述合金氧化物层的上表面上。
8.根据权利要求7所述的快速确定最佳合金氧化物忆阻材料的方法,其特征在于,所述联接层的材质为钛氮,所述电极层的材质为钨、铝、金中的至少一种。
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