[发明专利]一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法

权利要求书

1.一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，其特征在于它是按以下步骤完成的：一、在清洁后的基底上旋涂聚酰亚胺溶液，烘干后得到亚胺化的衬底；

二、在亚胺化的衬底上旋涂光刻胶、烘干，重复涂胶、烘干步骤操作1-3次，得到光刻胶层；旋涂光刻胶时匀胶机的转速为2000rpm，旋涂时间为50s；光刻胶为通用正胶Lift off光刻胶；

三、使用紫外光刻机对光刻胶进行掩膜曝光，烘干后显影获得带有预设图案光刻胶层的衬底；

四、在带有预设图案的光刻胶层上使用匀胶机旋涂PEDOT:PSS水溶液，加热烘干，烘干的温度为50℃，时间为120s；然后置于有机溶剂中浸泡并振荡，超声清洗，氮气吹干后进行烘干固定处理，将聚酰亚胺衬底从基底上剥离，即得到聚酰亚胺衬底上图案化的有机薄膜PEDOT:PSS电极；其中旋涂转速4000rpm-8000rpm，时间40s-60s。

2.根据权利要求1所述的一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，其特征在于步骤一旋涂聚酰亚胺溶液时匀胶机转速为1000rpm-5000rpm，旋涂时间为30s-60s。

3.根据权利要求1所述的一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，其特征在于步骤一中聚酰亚胺溶液的固含量为20％，粘度为5000-6000cP。

4.根据权利要求1所述的一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，其特征在于步骤一中的烘干为热台100℃烘干10min，再250℃烘干30min。

5.根据权利要求1所述的一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，其特征在于步骤二中的烘干是100℃加热90s。

6.根据权利要求1所述的一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，其特征在于步骤二获得的光刻胶层厚度大于预刻蚀的PEDOT:PSS薄膜的厚度。

7.根据权利要求1所述的一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，其特征在于步骤三中曝光时间为1s-2s，曝光能量密度20mW/cm²，烘干为105℃下保持60s，显影时间为60s。

8.根据权利要求1所述的一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，其特征在于步骤四中有机溶剂为丙酮、乙醇或氮甲基吡咯烷酮。

9.根据权利要求1所述的一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，其特征在于步骤四中超声功率为20W-80W，时间为1-10s。

10.根据权利要求1所述的一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，其特征在于步骤四烘干固定处理是在90℃-110℃下保持10min。