[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110281276.1 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN112993100B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 徐西贤;曹阳 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的叠氮化铷层、n型层、多量子阱层及p型层，
所述叠氮化铷层上具有多个相互间隔的且延伸至所述衬底表面的凹槽。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述叠氮化铷层的厚度为900～2500nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述衬底与所述叠氮化铷层的总高度为1000～3500nm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述衬底的表面具有与所述多个凹槽一一对应的凹坑，所述凹坑的深度为1000～3500nm。
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凹槽的深度为100～100nm。
6.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长叠氮化铷层，所述叠氮化铷层上具有多个相互间隔的且延伸至所述衬底表面的凹槽；
在所述叠氮化铷层上生长n型层；
在所述n型层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长p型层。
7.根据权利要求6所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上生长叠氮化铷层，包括：
在第一温度下生长叠氮化铷成核层；
在第二温度下，在所述叠氮化铷成核层上生长叠氮化铷缓冲层，所述第二温度高于所述第一温度；
在所述叠氮化铷缓冲层与所述叠氮化铷成核层上形成多个延伸至所述衬底的凹槽，以形成所述叠氮化铷层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一温度为250～350℃，所述第二温度为350～400℃。
9.根据权利要求7所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述叠氮化铷成核层的厚度与所述叠氮化铷缓冲层的厚度之比为1:44～1:6。
10.根据权利要求7～9任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述叠氮化铷成核层的厚度为100～200nm，所述叠氮化铷缓冲层的厚度为1200～4400nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110281276.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
