[发明专利]一种富氢二维钙钛矿快中子闪烁体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种富氢二维钙钛矿快中子闪烁体材料在快中子探测成像领域中的应用，其特征在于，所述富氢二维钙钛矿快中子闪烁体材料为掺杂有金属离子的有机-无机层状钙钛矿材料；

其中，所述金属离子选自Mn²⁺；

所述有机-无机层状钙钛矿材料选自(C₁₈H₃₇NH₃)₂PbBr₄或(C₁₂H₂₅NH₃)₂PbBr₄。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述的富氢二维钙钛矿快中子闪烁体材料的制备方法包括如下步骤：

提供有机-无机层状钙钛矿材料；

对所述有机-无机层状钙钛矿材料进行金属离子掺杂。

3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述对有机-无机层状钙钛矿材料进行金属离子掺杂包括如下步骤：

将所述有机-无机层状钙钛矿材料与金属的卤化物混合均匀，在氮气或惰性气氛中退火，完成掺杂。

4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述惰性气氛中，惰性气体选自氩气。

5.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述金属的卤化物相对有机-无机层状钙钛矿材料的质量分数为1%-40%。

6.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述退火条件为惰性流量40 -100 ml/min，在退火温度保温30 min -12 h；保温后，自然冷却到室温。

7.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述退火温度为80 -200℃。

8.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述应用的步骤包括：

将所述富氢二维钙钛矿快中子闪烁体材料通过成膜法制备成薄膜。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述成膜法选自压片法、刮刀涂布法、硅树脂封装、聚合物封装中的一种或几种。

10.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，将所述富氢二维钙钛矿快中子闪烁体材料制备得到的薄膜作为独立的快中子成像闪烁屏。

11.根据权利要求10所述的应用，其特征在于，所述应用具体包括：

快中子穿过成像样品后，照射在所述快中子成像闪烁屏上，激发该快中子成像闪烁屏发光；

采用成像设备捕获产生的光，转化成电流，完成成像。

12.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述薄膜的厚度为10-4000 μm。