[发明专利]一种大功率半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征是，包括：

在芯片第一表面进行各功能模块的制作，然后在第一表面的划片道处制作第一埋层；

在芯片第二表面进行各功能模块的制作，然后在第二表面上制作与第一埋层相对的第二埋层；

对芯片进行裂片，使芯片沿第一埋层和第二埋层产生裂痕，进而分割成若干个独立的半导体器件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征是，所述芯片包括衬底以及生长在衬底表面上的外延层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征是，所述在芯片第一表面进行各功能模块的制作，包括在所述外延层的表面制作钝化层和金属电极。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征是，所述在芯片第二表面进行各功能模块的制作，包括采用减薄工艺，在衬底表面进行材料减薄；进行背面金属制备，形成欧姆接触金属；对背面金属及半导体接触面进行激光退火；背面金属加厚。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征是，所述衬底的材质包括碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓、氮化铝、硅和砷化镓。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征是，所述第一埋层的深度是芯片厚度的1/2至1/8。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征是，制作所述第一埋层和/或所述第二埋层的方法包括刻蚀、激光划片、机械划片和激光改质埋层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征是，所述激光划片中采用的激光包括紫外、深紫外激光光源或者红外激光光源，激光光源的波长小于等于355nm，或者大于620nm。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征是，所述半导体器件包括肖特基势垒二极管、金属氧化物场效应晶体管、金属半导体场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、高电子迁移率晶体管和发光二极管。

10.一种半导体器件，其特征是，所述半导体器件采用权利要求1~9任一项所述的半导体器件的制备方法制备而成。