[发明专利]复杂曲面薄膜晶体管及自对准电流体共形光刻制造方法

权利要求书

1.一种复杂曲面薄膜晶体管的自对准电流体共形光刻制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

(1)依次在曲面基底上制备底栅电极、底栅介电层及半导体层；

(2)采用电流体喷印工艺在所述半导体层上制备具有多条纤维堆叠墙结构的纤维掩膜，电流体喷印时空间电场受所述曲面基底影响而空间分布畸变，使得产生的射流及纤维沉积在曲面基底的法向最短位点，进而实现法向曲面自对准；

(3)采用所述纤维掩膜在所述半导体层上制备源漏电极及引线，且所述纤维掩膜位置处因存在高度差而自动生成沟道；

(4)加热所述纤维掩膜以使所述纤维掩膜转变为熔融态，继而自然流动塌陷以对所述沟道位置处的半导体材料进行自对准封装，由此复杂曲面薄膜晶体管通过自对准电流体共形光刻制造完成。

2.如权利要求1所述的复杂曲面薄膜晶体管的自对准电流体共形光刻制造方法，其特征在于：采用电流喷印的方式在所述底栅介电层上制备所述半导体层。

3.如权利要求2所述的复杂曲面薄膜晶体管的自对准电流体共形光刻制造方法，其特征在于：在所述半导体层制备时对所述曲面基底进行加热。

4.如权利要求1所述的复杂曲面薄膜晶体管的自对准电流体共形光刻制造方法，其特征在于：所述曲面基底的表面绝缘，其为玻璃基底。

5.如权利要求1-4任一项所述的复杂曲面薄膜晶体管的自对准电流体共形光刻制造方法，其特征在于：以金属纳米颗粒墨水为原料采用电喷印的方式制备所述底栅电极层，所述底栅电极层喷印完成后进行烧结处理。

6.如权利要求1-4任一项所述的复杂曲面薄膜晶体管的自对准电流体共形光刻制造方法，其特征在于：采用镀膜或者喷印方式选择性地在所述底栅电极上制备所述底栅介电层。

7.如权利要求6所述的复杂曲面薄膜晶体管的自对准电流体共形光刻制造方法，其特征在于：以电流体喷雾方式在所述底栅电极上喷雾绝缘材料PMMA溶液以沉积形成膜，接着在紫外灯箱内进行交联反应，由此得到所述底栅介电层。

8.如权利要求1-4任一项所述的复杂曲面薄膜晶体管的自对准电流体共形光刻制造方法，其特征在于：通过所述纤维掩膜的尺寸来控制所述沟道的尺寸。

9.如权利要求1-4任一项所述的复杂曲面薄膜晶体管的自对准电流体共形光刻制造方法，其特征在于：以金属纳米颗粒墨水为原料，采用电流体共形喷印工艺在半导体层上沉积得到源漏电极和引线。

10.一种复杂曲面薄膜晶体管，其特征在于：所述复杂曲面薄膜晶体管是采用权利要求1-9任一项所述的复杂曲面薄膜晶体管的自对准电流体共形光刻制造方法制备而成的。