[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种宽带隙半导体装置，其中具有：

半导体衬底；

所述半导体衬底上的第一栅极绝缘膜；

所述第一栅极绝缘膜上的第一栅极电极；

所述半导体衬底上的第二栅极绝缘膜；以及

所述第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极，

在所述半导体衬底的所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之间的部分，形成有与所述半导体衬底的所述第一栅极电极及所述第二栅极电极正下方的部分相比凹陷的第一凹部。

2.如权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其中，

在所述半导体衬底的外周部形成有第二凹部。

3.如权利要求2所述的宽带隙半导体装置，其中，

在所述外周部的表面形成有p型杂质区域。

4.如权利要求3所述的宽带隙半导体装置，其中，

在所述半导体衬底上形成有源极电极。

5.如权利要求4所述的宽带隙半导体装置，其中，

在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之间的区域，形成有源极接触区域。

6.如权利要求5所述的宽带隙半导体装置，其中，

所述第一栅极电极及所述第二栅极电极包括平面型栅极电极。

7.如权利要求6所述的宽带隙半导体装置，其中，

在截面视中，在所述源极电极和所述外周部之间形成有栅极指。

8.如权利要求7所述的宽带隙半导体装置，其中，

所述栅极指的高度与所述源极电极的高度大致相同。

9.如权利要求8所述的宽带隙半导体装置，其中，

所述源极电极由包含铝的材料形成。

10.如权利要求9所述的宽带隙半导体装置，其中，

所述栅极指由包含铝的材料形成。

11.如权利要求10所述的宽带隙半导体装置，其中，

在所述栅极指和所述半导体衬底的所述外周部之间形成有外周源极电极。

12.如权利要求11所述的宽带隙半导体装置，其中，

所述半导体衬底由SiC、GaN或金刚石形成。

13.如权利要求12所述的宽带隙半导体装置，其中，

还包含所述源极接触区域中所述半导体衬底和所述源极电极之间的钛材料。

14.如权利要求13所述的宽带隙半导体装置，其中，

所述第一栅极绝缘膜及所述第二栅极绝缘膜由包含硅的材料形成。

15.如权利要求14所述的宽带隙半导体装置，其中，

所述第一栅极电极及所述第二栅极电极由包含多晶硅的材料形成。

16.如权利要求15所述的宽带隙半导体装置，其中，

在所述源极电极的表面仿照所述半导体衬底的表面形成有凹陷。

17.如权利要求15所述的宽带隙半导体装置，其中，

所述第一凹部的深度与所述第二凹部的深度大致相同。

18.如权利要求15所述的宽带隙半导体装置，其中，

所述第一凹部与所述第二凹部由同一工序形成。